NRVBSS26NT3G 产品概述

一、产品简介

NRVBSS26NT3G 为安森美（ON Semiconductor）系列的肖特基整流二极管，额定整流电流 2A，直流反向耐压 60V，常见封装为 SMB（DO-214AA）。在 2A 工作点时典型正向压降 Vf = 0.63V，60V 时反向漏电流 Ir ≤ 200 µA（静态条件）。此器件以低正向压降与快速恢复特性为主要优势，适合需要高效率和低功耗的整流或保护场合。

二、主要电气参数

• 额定整流电流：2A（持续正向电流）
• 直流反向耐压（Vr）：60V
• 正向压降（Vf）：约 0.63V @ IF = 2A
• 反向漏电流（Ir）：≤ 200 µA @ Vr = 60V
• 封装：SMB (DO-214AA)

三、关键特性与优势

• 低正向压降：减小导通损耗，提高整流效率，适用于中小功率电源。
• 快速响应：肖特基结特性带来较短的恢复时间，有利于开关电源与高速脉冲场合。
• 紧凑封装：SMB 提供较好的热阻与机械强度，便于自动化贴装。
• 可靠性：安森美工艺保证器件稳定性，适合工业与消费电子应用。

四、典型应用

• 开关电源整流与续流二极管（DC-DC、AC-DC）
• 反向电压保护、电池防反接电路
• 低压降电源轨整流（5V、12V 等中低压系统）
• 汽车电子与工业控制（需考虑温度与振动条件）

五、PCB 与热设计建议

• SMB 封装热阻中等，2A 连续工作需注意铜箔散热（建议增加散热铜箔与热过孔）。
• 输入与输出走线尽量加宽缩短，减小寄生电阻与发热。
• 对于高频开关场合，放置合适的旁路电容以降低尖峰电压与电磁干扰。

六、选型与使用注意事项

• 若工作电流短时峰值明显高于 2A，应查阅脉冲峰值规格并留足裕量。
• 在高温或高反向电压环境下，Ir 会上升；需要根据实际温度曲线核算泄漏功耗。
• 焊接时遵循推荐回流曲线，避免过热导致封装或芯片损伤。

该产品以低压降、快速响应及中等功率承载能力为特点，适合追求效率与可靠性的整流与保护设计。