S115FP（ON/安森美）——150V、1A肖特基二极管产品概述

一、产品简介

S115FP为安森美（ON Semiconductor）推出的一款表面贴装型肖特基整流二极管，封装为SOD-123HE。该器件设计用于高效整流和低压降开关场景，典型正向压降Vf为900mV（IF=1A），直流反向耐压Vr=150V，额定整流电流1A，能在-55℃至+150℃结温范围内可靠工作。

二、主要电气参数

• 额定直流整流电流（IF）：1A（连续）
• 正向压降（Vf）：约0.9V @ IF=1A
• 最大反向耐压（Vr）：150V
• 反向漏电流（IR）：最大50μA @ Vr=150V（室温）
• 非重复峰值浪涌电流（Ifsm）：30A（单次冲击）
• 工作结温范围：-55℃ ~ +150℃

以上参数适用于常规工作条件，实际热、电特性随工作温度和PCB散热条件变化明显，设计时请按datasheet建议进行热降额处理。

三、性能特点与优势

• 低正向压降：在1A工况下Vf约0.9V，相比普通硅整流器具有更低的功耗与更高的效率。
• 高耐压设计：150V的反向耐压适合多数开关电源、适配器以及太阳能、POE等中等电压应用。
• 小型SMD封装：SOD-123HE体积小、厚度低、适合高密度板上布局与自动贴装生产。
• 良好的浪涌承受能力：30A非重复峰值浪涌支持突发大电流事件（如整流器的瞬态负载）。

四、典型应用场景

• 开关电源输入/二次整流、辅助电源整流
• 适配器与充电器、车载电子的整流与防反接
• DC-DC转换器、功率管理模块
• 反向保护、低压差稳压及箝位电路
• 工业控制与通信设备中的高压整流要求场合

五、布局与热管理建议

SOD-123HE封装受限于引脚和基板散热，实际允许的持续电流受PCB铜箔面积、层间过孔与环境温度影响。建议：

• 在器件底部与引脚周围增加铜箔面积并使用多层过孔导热到内层或底层；
• 对于连续1A或接近Ifsm的应用，应进行热仿真或实测验证，必要时采用散热片或增加铜量；
• 注意反向漏电流随温度指数增长，在高温环境中考虑漏电降额。

六、焊接与可靠性

• 建议遵循JEDEC J-STD-020回流焊工艺，峰值回流温度通常不超过260℃，并严格控制时间-温度曲线以保证可靠性。
• 器件工作温度范围宽，适合多种环境，但长期高温会加速漏电流和参数漂移，设计时需留有裕量。
• 对静电敏感性及机械应力按常规SMD器件处理，避免超出厂商推荐的PCB焊接和存储条件。

七、选型与注意事项

• 若应用中反向电压低于150V或对正向压降有更高要求，可考虑低Vf肖特基或并联多颗器件以分担电流，但并联需匹配电流与热阻。
• 在高温或高Vr工况下，关注Ir随温升的上升对系统待机功耗的影响，必要时增加泄放或采用更高规格器件。
• 具体尺寸、引脚图与推荐焊盘请参照安森美官方datasheet以满足生产与可靠性要求。

总结：S115FP（SOD-123HE）以其150V耐压、1A整流能力与较低的正向压降，适用于多种中等电压整流和保护场合。正确的PCB散热设计与温度管理是保证其长期可靠工作的关键，选型与封装细节请参阅安森美完整技术资料。