型号:

TLV9001SIDCKR

品牌:TI(德州仪器)
封装:SC-70-6
批次:25+
包装:编带
重量:0.158g
其他:
-
TLV9001SIDCKR 产品实物图片
TLV9001SIDCKR 一小时发货
描述:运算放大器 2V/us 单路 5pA 1MHz SC-70-6
库存数量
库存:
2769
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.733
3000+
0.68
产品参数
属性参数值
放大器数1
最大电源宽度(Vdd-Vss)5.5V
轨到轨轨到轨输入,轨到轨输出
增益带宽积(GBW)1MHz
输入失调电压(Vos)400uV
输入失调电压温漂(Vos TC)600nV/℃
压摆率(SR)2V/us
输入偏置电流(Ib)5pA
输入失调电流(Ios)2pA
输入电压噪声密度(eN)27nV/√Hz@10kHz
共模抑制比(CMRR)95dB
静态电流(Iq)60uA
输出电流40mA
工作温度-40℃~+125℃
单电源电压1.8V~5.5V
双电源电压(Vee~Vcc)-2.75V~2.75V

TLV9001SIDCKR 产品概述

一、概述

TLV9001SIDCKR 是德州仪器(TI)推出的一款单通道低功耗运算放大器,封装为 SC-70-6。器件支持轨到轨输入与轨到轨输出,工作在单电源 1.8V 至 5.5V 或双电源 ±2.75V,最大电源差 Vdd–Vss 为 5.5V。器件设计兼顾低偏置电流和较高输出驱动能力,适用于便携式与工业级应用。

二、关键参数

  • 放大器数:单路
  • 供电:单电源 1.8V–5.5V / 双电源 ±2.75V(Vdd–Vss ≤ 5.5V)
  • 轨到轨:输入与输出均为轨到轨
  • 增益带宽积(GBP):1 MHz
  • 压摆率(SR):2 V/µs
  • 输入失调电压(Vos):400 µV,温漂 600 nV/°C
  • 输入偏置电流(Ib):5 pA;输入失调电流(Ios):2 pA
  • 噪声密度:27 nV/√Hz @ 10 kHz
  • 共模抑制比(CMRR):95 dB
  • 静态电流(Iq):60 µA
  • 输出电流:典型 40 mA 驱动能力
  • 工作温度范围:-40 ℃ 至 +125 ℃
  • 封装:SC-70-6(小外形,节省空间)

三、主要特性与优势

  • 低功耗:60 µA 静态电流适合电池供电与低功耗系统。
  • 高输入阻抗:5 pA 偏置电流使其非常适合高阻抗传感器接口与精密测量。
  • 精密直流性能:400 µV 失调与 600 nV/°C 温漂,利于低频或直流增益电路。
  • 轨到轨 I/O:最大化信号动态范围,减少前置偏置或电平移位需求。
  • 紧凑封装:SC-70-6 有利于空间受限的便携式与消费类产品设计。

四、典型应用

  • ADC 驱动与缓冲
  • 电压检测与比较前端(需运放特性)
  • 高阻抗传感器放大(电化学传感器、热电偶等)
  • 便携式测量仪器与电池供电设备
  • 工业控制与数据采集系统(-40~+125 ℃)

五、设计与布局建议

  • 电源去耦:靠近器件的 Vdd–Vss 端放置 0.1 µF 陶瓷去耦电容以抑制瞬态噪声。
  • 带宽与速率匹配: GBP 1 MHz 与 SR 2 V/µs 表明在高增益或大幅度快速信号时应注意带宽与失真限制,必要时采用合适的闭环增益设计。
  • 输入保护与滤波:针对高阻抗传感器,增加输入滤波可降低噪声并防止输入尖峰损伤。
  • 热管理:尽管功耗低,但在密集布局或高温环境下仍需关注封装热路径,保证在 -40~125 ℃范围内稳定工作。

六、封装与订购信息

封装型号:SC-70-6;品牌:TI(德州仪器);器件型号:TLV9001SIDCKR。适合对体积、功耗与精度有综合要求的设计。购买时请参考 TI 官方数据手册与订货信息以确认包装、温度等级与生产批次等细节。