IRLML6402 产品概述

一、概要介绍

IRLML6402 是华朔（HUASHUO）出品的一款P沟道增强型场效应管，采用小型 SOT-23-3 封装，适用于低压控制与负载切换场景。器件额定漏源耐压为20V，连续漏极电流4.9A，器件在紧凑尺寸下兼顾导通损耗与开关性能，适合便携式与功率受限电路。

二、主要参数

• 沟道类型：P沟道 MOSFET，数量：1个
• 漏源耐压（Vdss）：20V
• 连续漏极电流（Id）：4.9A
• 导通电阻（RDS(on)）：45mΩ @ Vgs = -4.5V（在4.9A）
• 耗散功率（Pd）：1.31W
• 阈值电压（Vgs(th)）：约 -0.4V（400mV）
• 栅极总电荷（Qg）：14.3nC @ |Vgs|=4.5V
• 输入电容（Ciss）：1.2nF @ 15V
• 反向传输电容（Crss）：151pF @ 15V
• 工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
• 封装：SOT-23-3

三、主要特点

• 低压工作：20V 额定值适合 USB、锂电及低压电源侧高端开关。
• 低导通电阻：45mΩ 在典型栅压下可降低导通损耗，适合中小电流路径。
• 小封装：SOT-23-3 体积小，利于空间受限的便携设备。
• 开关性能平衡：Qg 与 Ciss 数值显示在驱动与开关损耗之间有良好折中。

四、典型应用

• 电源管理：高端侧负载开关、反向保护、软启动。
• 便携设备：手机配件、可穿戴、蓝牙设备的电源控制。
• 信号切换与电平转换：需P沟道高端开关的小信号与功率路径。

五、设计与使用建议

• 栅极驱动：由于为P沟道器件，栅极需相对于源极施加负向驱动（典型 -4.5V），确保足够栅压以降低RDS(on)。
• 散热管理：SOT-23-3 封装 Pd 约1.31W，PCB 铜箔与散热过孔能显著提升热能力，注意在高电流场合下布局散热。
• 切换损耗：Qg=14.3nC 与较大的 Ciss 在高频开关时会增加驱动能耗，需合理评估驱动电路能量预算。
• 保护与可靠性：若用于逆变或感性负载，推荐并用续流二极管或RC吸收，避免过压带来的应力。

六、封装与可靠性

SOT-23-3 小型封装便于自动贴装与空间优化；工作温度范围宽（-55℃ ~ +150℃），适应工业级环境。设计时注意焊接工艺与热循环对可靠性的影响。

七、采购与替代建议

在采购时确认品牌与批次（HUASHUO 华朔），并与系统要求对照 RDS(on)、Qg、Pd 等关键参数。若需更低导阻或更高功率能力，可考虑同类封装的低RDS(on)替代器件；若关注开关频率与驱动损耗，可优先选择低Qg 型号。

以上为基于器件参数的产品概述与工程使用建议，便于在电源管理与开关场景中快速评估 IRLML6402 的适用性。