NTTFS5C673NLTAG（ON/安森美）产品概述

一、概述

NTTFS5C673NLTAG 是安森美推出的一款 60V N 沟功率 MOSFET，封装为 WDFN-8（DFN-8-EP, 3.3×3.3mm），适合中高电流、开关频率中等的电源和电机驱动应用。器件在 10V 驱动下 RDS(on)=9.3mΩ（25A 测试点），额定连续漏极电流达 50A，耗散功率 Pd=46W，工作结温范围宽（-55℃～+175℃），适配紧凑型高密度电路。

二、电气参数要点

• 漏源电压 Vdss：60V，适合 48V 级别或以下电源系统。
• 连续漏极电流 Id：50A（注意该值依赖散热条件及 PCB 热阻）。
• 导通电阻 RDS(on)：9.3mΩ @ Vgs=10V（在较低 Vgs 下 RDS(on) 会显著上升）。
• 阈值电压 Vgs(th)：约 2V（阈值并不等同于低阻态，需要足够栅压以降低 RDS(on)）。
• 栅极电荷 Qg：9.5nC @10V，输入电容 Ciss≈880pF，反向传输电容 Crss≈11pF。

三、开关特性与驱动建议

因 Qg≈9.5nC 与 Ciss 较大，驱动电路应能提供足够峰值电流以保证快速转换，建议栅极驱动电压为 10V 以达到规格的低 RDS(on)。Crss 相对较小，Miller 效应有限，有利于在较高 dV/dt 下稳定开关。驱动器选择时注意峰值电流能力与阻尼，以控制 EMI 与开关损耗。

四、热设计与封装注意

WDFN-8 带大外露焊盘（EP）有利于散热，实际连续电流能力受 PCB 铜箔面积与过孔散热影响显著。按 P = I^2·RDS(on) 粗略估算：例如 50A 条件下理论导通损耗约 23.3W（不计温升导致的 RDS(on) 上升），因此必须通过拓展散热层、添加过孔与底铜来降低结-环境热阻，使器件在允许结温范围内工作并进行适当的功率降额。

五、典型应用

• 同步整流或降压（buck）转换器的高侧/低侧 MOSFET；
• 电机驱动（中低压直流电机）；
• 负载开关、电源保护与逆流阻断；
• 服务器、电源管理与消费电子高密度电源模块。

六、PCB 布局与使用建议

• 在封装外露焊盘下做足铜厚和过孔，尽量多铺大面积散热层并连通内层散热；
• 栅极走线短而粗，源极尽量作 Kelvin 连接以减小感抗与寄生电阻；
• 在栅极与驱动之间并联小电阻以抑制振荡，并在栅源间并联 100nF 缓冲电容用于瞬态稳定；
• 在电源回路靠近器件放置足够的去耦电容，减少开关尖峰与 EMI。

七、选型与可靠性提示

该器件在 10V 驱动下性能优良，但若系统仅有 4.5V 或更低栅压，应评估 RDS(on) 的上升与开关损耗。额定 Id、Pd 等参数通常基于标准散热条件（例如 PCB 大铜面积与环境温度），实际设计中需进行热仿真与测量验证。总之，NTTFS5C673NLTAG 适合要求较低导通阻抗、可靠散热及中高速开关的功率管理场合。