TPD4EUSB30DQAR-N 产品概述

一、概述

TPD4EUSB30DQAR-N 是 BORN（伯恩半导体）提供的一款高性能静电与浪涌保护器件，面向 USB 及高速差分数据线保护场景。器件为单向 TVS/ESD 保护类型，采用紧凑的 DFN-10L 封装，兼顾低寄生、电气可靠性和工业级防护能力，适合消费电子、通信与工业接口防护设计。

二、主要性能参数

• 极性：单向
• 反向截止电压 Vrwm：5 V
• 击穿电压 Vbr：7.8 V（典型）
• 钳位电压 Vclamp：10 V（在指定脉冲条件下）
• 峰值脉冲电流 Ipp：3.5 A @ 8/20 μs
• 峰值脉冲功率 Ppp：60 W @ 8/20 μs
• 反向电流 Ir：500 nA（典型）
• 结电容 Cj：0.3 pF（低电容，适合高速信号）
• 防护等级/标准：符合 IEC 61000-4-2 / 4-4 / 4-5 等抗静电与浪涌规范

三、核心优势

• 极低结电容（0.3 pF），对 USB/高速差分信号几乎无损耗，保持信号完整性。
• 单向结构适配 5 V 工作环境，Vrwm = 5 V，可直接用于 USB VBUS 及数据线旁路保护（需按系统电压确认）。
• 在 8/20 μs 浪涌测试下具备 3.5 A 峰值承受能力与 60 W 峰值功率，能有效吸收短时冲击与浪涌事件。
• 钳位电压约 10 V，可在浪涌事件中将过电压限制到可接受范围，降低后端器件受损风险。
• 满足多项 IEC 61000 系列标准，适用于需要通过电磁兼容/抗扰度认证的产品。

四、典型应用

• USB 2.0 / USB 3.0 接口的 ESD 与浪涌保护（D+/D-、VBUS 辅助保护时需注意钳位）。
• 智能手机、平板、笔记本等便携设备的外部接口防护。
• 工业通信端口、接口板、扩展坞与充电设备的输入保护。
• 任何对信号完整性有要求的高速差分或单端数据线保护方案。

五、封装与 PCB 安装建议

• 封装：DFN-10L，体积小，利于高密度布局。
• 放置位置：尽量靠近受保护的连接器或信号源，缩短受保护线到器件的走线长度。
• 接地要求：使用多层 PCB 时建议靠近器件下方布置接地平面，并在器件附近布置多个过孔将地平面连接至参考地，减少环路电感。
• 布线建议：保护器件输入到连接器的走线应尽可能短、直；高频差分对应保持阻抗一致，避免在器件周围绕线。
• 热管理：DFN 封装热性能有限，关注板级热流散和周边元件布局。

六、使用注意事项

• 虽为单向 TVS，若用于双向信号线请确认电路拓扑或选择相应双向器件。
• 钳位电压在指定脉冲条件下测得，实际系统中钳位电压会随脉冲幅度和波形变化，应结合实际浪涌能量评估对后端器件的保护能力。
• 反向漏电流约 500 nA，对超低功耗电路需评估影响。
• 在装配与维护过程中遵守静电防护规范，以免在生产阶段对器件造成损伤。

七、总结

TPD4EUSB30DQAR-N 以其低电容、紧凑封装和符合 IEC 标准的抗扰性能，为 USB 及高速数据线提供了一种可靠的单向静电与浪涌防护方案。合理的 PCB 布局和正确的系统匹配能最大化其保护能力与信号完整性，适合需要高可靠性接口保护的消费电子与工业产品。若需原理接线或封装外形图，请根据实际设计索取器件规格书（Datasheet）与推荐封装库文件。