型号:

TPSD226K035R0200

品牌:AVX
封装:SMD
批次:25+
包装:编带
重量:0.468g
其他:
-
TPSD226K035R0200 产品实物图片
TPSD226K035R0200 一小时发货
描述:钽电容 35V ±10% 22uF 200mΩ@100kHz CASE-D-7343
库存数量
库存:
650
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
5.07
500+
4.85
产品参数
属性参数值
容值22uF
精度±10%
额定电压35V
等效串联电阻(ESR)200mΩ@100kHz
工作温度-55℃~+125℃

TPSD226K035R0200 产品概述

一、产品简介

TPSD226K035R0200 是 AVX 的表面贴装钽固体电容器,额定容量 22 µF,容差 ±10%,额定电压 35 V,等效串联电阻(ESR)为 200 mΩ(@100 kHz),工作温度范围 -55 ℃ 到 +125 ℃,封装为 CASE‑D‑7343。此型号以高能量密度、体积小和稳定的直流特性为特点,适合在对体积、可靠性有较高要求的电子系统中做滤波与去耦使用。

二、主要特性

  • 容值:22 µF ±10%;适合中等容量需求的去耦/滤波应用。
  • 额定电压:35 V;支持中等工作电压的电源轨。
  • ESR:200 mΩ @100 kHz;在中高频下提供适度阻抗,有利于稳定输出电压和抑制中高频纹波。
  • 工作温度:-55 ℃ ~ +125 ℃;适应工业级温度环境。
  • 封装:SMD CASE‑D‑7343,便于自动贴装与高密度布板。

三、电气性能与使用含义

  • ESR 与纹波:给定 ESR=0.2 Ω 时,电容对纹波电流的压降可近似按 Vr = Ir_rms × ESR 估算。例如 0.5 A 的交流纹波将带来约 0.1 V 的 ESR 压降。
  • 频率依赖:钽固体电容在低频到中频范围表现优良,容量随频率和温度变化较小,但在极高频区域阻抗不如陶瓷电容。实际电源设计常将钽与陶瓷并联以兼顾低频储能与高频去耦。
  • 极性:为极性电容,必须注意正负极连接,反向电压会导致失效或短路。

四、封装与可靠性

  • CASE‑D‑7343 SMD 结构便于 PCB 高密度布置,通常在封装表面有极性标识。
  • 钽固体电容以体积能量密度高、长期容量保持性好著称,但对浪涌电流与瞬态过压敏感;妥善的电压降额与浪涌保护可显著提高可靠性。
  • 工作环境:耐热至 +125 ℃,适合多数工业与通信设备;在高湿或强振动环境需按厂方推荐的可靠性规范处理。

五、典型应用场景

  • 开关电源输出滤波与稳压器/稳压芯片(LDO、DC‑DC)后端的储能与去耦。
  • 输入滤波(与陶瓷并联),抑制整流或转换器产生的低/中频纹波。
  • 工业控制、通信设备、电源模块、汽车电子(需符合汽车级要求时确认具体版本)等对体积与长期稳定性有要求的场合。

六、使用建议与注意事项

  • 电压降额:建议根据应用关键性及浪涌特性对额定电压进行适当降额(常见做法为 50%–80% 范围,具体取值按系统可靠性要求确定)。
  • 限制冲击电流:在可能出现大浪涌电流的场合加串联限流电阻或软启动电路,以防电容因浪涌而失效。
  • 焊接与回流:遵循 AVX 的回流曲线与焊接工艺指南,防止热应力或机械应力导致封装损伤。清洗时避免使用会侵蚀钽电容的化学剂。
  • 并联使用:为兼顾低频储能与高频去耦,建议与低 ESR 的多层陶瓷电容并联;在并联相同钽电容时注意均流与板上布局。
  • 存储与保管:避免高温高湿长期存放,贴装前保持原包装状态以防受潮或污染。

总结:TPSD226K035R0200 是一款面向中高电压、需要稳定中等容量与工业温度范围的钽固体电容,凭借 22 µF 的容量与 200 mΩ 的 ESR,在电源滤波与稳压输出旁路中能提供可靠的性能。设计时注意电压降额与浪涌保护可显著提升系统安全性与元件寿命。若需更详细的电气特性曲线、回流曲线或认证信息,请参考 AVX 官方数据手册。