FCH072N60F 产品概述

一、产品简介

FCH072N60F 为安森美（ON Semiconductor）出品的一款高压 N 沟道功率 MOSFET，单只器件适用于高压开关和功率转换场合。器件采用 TO-247-3 封装，额定漏源电压 600V，适合中高压开关应用的功率级设计。

二、主要参数

• 类型：N 沟道 MOSFET（单个）
• Vdss（漏源耐压）：600V
• Id（连续漏极电流）：52A
• RDS(on)（导通电阻）：72mΩ @ Vgs=10V
• Pd（耗散功率）：481W
• Vgs(th)（门阈电压）：5V @ 250µA
• Qg（总栅极电荷）：215nC @ Vgs=10V
• Ciss（输入电容）：8.66nF
• Coss（输出电容）：275pF
• Crss（反向传输电容）：2.5pF
• 工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
• 封装：TO-247-3

三、性能特点

FCH072N60F 在 600V 区间提供较低的 RDS(on)，适合需要兼顾导通损耗与耐压能力的应用。较大的 Pd 指示在良好散热条件下可承载较高的瞬时和持续功率。较高的栅极电荷量（Qg=215nC）表明器件在高频切换时需要较强的驱动能力。

四、典型应用场景

• 高压开关电源（SMPS）主开关
• 功率因数校正（PFC）级
• 逆变器与 UPS
• 电机驱动与工业控制高压开关单元
• 感应加热及其它中高频功率转换设备

五、使用建议与注意事项

• 栅极驱动：因 Qg 较大，应选用能提供较大峰值电流的栅极驱动器以缩短开关时间，平衡开关损耗与电磁干扰（EMI）。
• 热管理：TO-247 封装需配合合适散热片或强制风冷，注意器件与散热器的热接口和螺栓扭矩。
• 开关过冲与能量回收：高 Vdss 应注意吸收回路或缓冲电路设计，必要时使用 RC、RCD 或有源钳位以保护器件免受回灌高能量冲击。
• 布局与寄生感抗：尽量缩短功率回路环路，减小寄生电感以降低瞬态过压和 EMI。
• 参数确认：实际设计中应查阅原厂完整数据手册（包括 SOA、dv/dt 限值、结到外壳热阻等）以确保可靠运行。

六、封装与采购

该器件以 TO-247-3 封装提供，适合需要较好散热性能的模块化设计。采购时注意核对型号、批号与出货条件，单件参数已在上述规格中列明。