型号:

VS-15CTQ045S-M3

品牌:VISHAY(威世)
封装:TO-263-3 (D2PAK)
批次:25+
包装:管装
重量:-
其他:
-
VS-15CTQ045S-M3 产品实物图片
VS-15CTQ045S-M3 一小时发货
描述:肖特基二极管 1对共阴极 550mV@7.5A 45V 7.5A TO-263AB(D2PAK)
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商品单价
梯度内地(含税)
1+
3.6
1000+
3.46
产品参数
属性参数值
二极管配置1对共阴极
正向压降(Vf)550mV@7.5A
直流反向耐压(Vr)45V
整流电流7.5A
反向电流(Ir)800uA@45V
工作结温范围-55℃~+150℃
非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)810A

VS-15CTQ045S-M3 产品概述

一、产品简介

VS-15CTQ045S-M3 是 VISHAY(威世)推出的一款功率肖特基二极管,构成为一对共阴极(dual common cathode)。该器件在 TO-263-3 (D2PAK) 表面贴装封装中提供高电流整流能力与低正向压降,适用于中高功率的开关电源与电源管理场合。主要额定参数包括:直流整流电流 7.5 A,直流反向耐压 45 V,正向压降 Vf = 0.55 V(@ 7.5 A),非重复峰值浪涌电流 Ifsm = 810 A,工作结温范围 -55℃ 至 +150℃。

二、主要特性与优势

  • 低正向压降:Vf 约为 0.55 V(在 7.5 A 条件下),相比普通整流二极管可显著减少导通损耗,提升效率并降低散热需求。
  • 低正向恢复、快速开关特性:肖特基结构固有的无恢复电荷优势,适合高频开关应用,能降低开关损耗与振铃。
  • 高浪涌承受力:Ifsm 810 A(非重复峰值)表明器件具有良好的抗浪涌能力,适用于启动浪涌或短时高应力场景。
  • 中等反向漏电:在 Vr = 45 V 条件下,反向电流 Ir 约 800 μA(典型),需注意温升时漏电随之上升。
  • 宽工作温度:-55℃ 至 +150℃,适应较为严苛的工业等级温度环境。
  • 工业级封装:TO-263-3 (D2PAK) 提供良好的散热路径与焊接可靠性,方便表面贴装自动化生产。

三、电气与热工考虑(实用要点)

  • 功耗估算:在满载 7.5 A 的情况下,单个导通器件的导通损耗约为 P = I × Vf ≈ 7.5 A × 0.55 V ≈ 4.1 W。实际结温上升取决于封装与 PCB 的散热能力,应据 RθJA / RθJC 数据与 PCB 设计进行热仿真或计算。
  • 漏电与温度关系:反向电流随结温急剧上升,长时间在高温高反向电压下工作会造成额外能量消耗和热失控风险。高温环境下应用时应选用冗余或加热控温设计。
  • 浪涌能力应用:Ifsm 指非重复峰值浪涌电流(半周期或单脉冲),不建议将该值作为长期重复载流标准,频繁浪涌会降低可靠性。
  • 并联与退化:若需更高连续电流,可并联多个器件,但应注意均流问题(建议串联小阻抗或使用单元匹配与热对称布局)。

四、典型应用场景

  • 开关电源(SMPS)中作为整流/续流二极管(尤其在中低压、高电流输出段)。
  • DC-DC 降压/升压转换器的续流或回路整流。
  • 电源 OR-ing、反向防护、电池充放电路径。
  • 马达驱动、逆变器的二次整流或保护电路。
  • 工业电源、通信电源与服务器电源等需要高可靠性的电源模块。

五、封装与 PCB 布局建议

  • TO-263-3 (D2PAK) 提供平面散热片与大焊盘,通过增加底部焊盘面积和通孔/散热岛连接多层铜皮,可显著降低结到环境热阻。
  • 建议为每个功率极设计足够的焊盘面积并在底层增加多盲/埋 vias 或热通孔,连通内部或底层的大铜箔以利散热。
  • 布局上将高热器件靠近 PCB 边缘或外壳散热体,并避免将温敏器件放置在其热区;若装配在金属散热片上,按厂方推荐的机械固定与绝缘方式处理。

六、选型与替代建议

  • 若应用对反向漏电极其敏感,可考虑更低 Ir 的肖特基型号或使用高速恢复二极管视场景而定。
  • 若需更高耐压,应选择对应更高 Vr 等级的肖特基或功率二极管。
  • 对于要求更高持续电流的设计,优先考虑更大面积封装(如 TO-220、DPAK 并联方案)或选用降额设计并充分散热。

七、结论

VS-15CTQ045S-M3 以其低正向压降、良好的浪涌承受能力和工业级工作温度,适合中高功率、高效率电源设计。关键设计点在于合理的热管理与对反向漏电随温度上升的控制。最终选型应结合实际工作点、散热条件和系统可靠性要求,参考完整数据手册进行热阻、最大结温与封装机械规格的验证。