ESD9N18BA-2/TR 产品概述

一、产品简介

ESD9N18BA-2/TR 为 WILLSEMI（韦尔）出品的单路双向瞬态抑制二极管（TVS）。器件针对瞬态过压与静电放电事件提供快速钳位保护，适用于需要低漏电与低电容的敏感信号与电源接口。封装为 DFN1006-2L，体积小，利于贴片化高密度布局。

二、主要电气参数

• 极性：双向（对称钳位正负极）
• 反向截止电压 Vrwm：18 V
• 击穿电压 Vbr：21 V
• 钳位电压 Vc：24 V（Ipp 条件下）
• 峰值脉冲电流 Ipp：6.5 A（8/20 μs）
• 反向电流 Ir：500 pA（典型，保持低功耗）
• 结电容 Cj：8 pF（适合高速信号线）
• 通道数：单路
• 防护等级：符合 IEC 61000-4-5（浪涌）与 IEC 61000-4-2（静电）

三、典型应用场景

• 数据与通信接口保护（如 RS‑485、CAN、USB 等需低电容场合）
• 工业控制、仪表与传感器接口的输入防护
• 电源输入与局部电路的浪涌/静电防护（在工作电压低于 Vrwm 的系统）
• 需要低漏电、高可靠钳位的便携与低功耗设备

四、封装与PCB布局建议

• DFN1006-2L 小型贴片封装，建议将器件尽量靠近受保护的接口或引脚放置，以缩短导线感抗与提升钳位效率。
• 布局时保持到接地面的短而粗的回流路径，必要时添加多个过孔导通至多层地平面以降低回流阻抗。
• 对高速差分/单端信号，8 pF 的结电容有利于信号完整性，但仍应避免将 TVS 并联于极短抑制路径外侧导致串扰。
• 焊接与回流按 DFN 封装工艺规范进行，注意焊盘设计与焊膏量控制以保证可靠焊接。

五、选型与注意事项

• 确认器件的 Vrwm（18 V）大于系统最大工作电压，且钳位 24 V 在峰值脉冲条件下能保护下游组件。
• 双向器件适用于存在双向过压或交流耦合场合；若仅在单极性电源侧使用，可考虑单向型。
• 虽然 Ipp=6.5 A 能承受常见浪涌，但对更大能量事件应配合外部限流元件（如熔丝或串联电阻）与系统级防护。
• 若需车规或更高等级认证，确认是否满足相应可靠性标准（本型号注明 IEC 静电与浪涌等级）。

六、性能认证与可靠性

器件通过 IEC 61000-4-2 与 IEC 61000-4-5 相关等级测试，能在工业与民用环境中提供稳健的 ESD 与浪涌防护。低漏电（500 pA）与低结电容（8 pF）使其在低功耗与高速信号应用中兼顾保护与性能，是对单路线路进行集中保护的有效元件选择。