BZW04-5V8B（ST，DO-15）产品概述

一、产品简介

BZW04-5V8B 是意法半导体（ST）出品的一款双向瞬态电压抑制器（TVS），采用 DO-15 轴向封装，针对静电放电（ESD）和浪涌（Surge）事件提供保护。器件在直流稳态下的反向截止电压（Vrwm）为 5.8V，击穿电压约为 6.45V，能在正负方向上对过压进行对称钳位。

二、主要电气参数

• 极性：双向（Bidirectional），适用于双向冲击或交流/差分线保护。
• 反向截止电压 Vrwm：5.8V（稳态工作电压）。
• 击穿电压 Vbr：约 6.45V。
• 钳位电压 Vc：13.4V（动态钳位值，受脉冲波形和电流影响）。
• 峰值脉冲电流 Ipp：38A @ 10/1000µs；174A @ 8/20µs。
• 峰值脉冲功率 Ppp：400W @ 10/1000µs。
• 反向电流 Ir：典型 1mA（在 Vrwm 下）。
• 结电容 Cj：约 3500pF（较大，需注意对信号完整性的影响）。

三、典型应用场景

适用于工业电源线、通信接口的浪涌保护、继电器线圈反射吸收以及需要高能量吸收能力的防护点。由于结电容较大，不推荐用于高速差分信号线（如高速 USB/HDMI/PCIe）的直接并联保护，但非常适合电源轨、低频传输线和接口（例如 RS-232、传感器电源等）。

四、安装与布局建议

• 尽量靠近被保护的接口或器件安装，缩短导线以降低串联电感和提高响应速度。
• 轴向 DO-15 封装便于穿孔焊接，适合经受工业环境机械应力的应用。
• 在高能量冲击场合，配合限流电阻或小型熔丝使用可提高系统可靠性。
• 注意散热路径：长时间或高频繁冲击会产生热量，应保证良好散热或适当热沉。

五、选型注意事项

• 若保护对象为高速数据信号，应优先考虑低电容 TVS；若为电源或低速信号、需高能量吸收，则 BZW04-5V8B 是合适选择。
• 评估最大浪涌能量和脉冲波形（8/20µs 或 10/1000µs）是否在器件额定范围内，并留有裕量。
• 考虑工作温度对泄漏电流和耐能性能的影响，必要时参考厂家完整的温度特性曲线。

六、采购与替代

型号：BZW04-5V8B，品牌：ST（意法半导体），封装：DO-15。若需相同电压等级或更低结电容的替代，应按 Vrwm、Vbr、Ipp、Cj 等关键参数进行比对，优先选取具有相近钳位和更高能量能力的产品。

七、总结

BZW04-5V8B 为一款面向高能量瞬态的双向 TVS，特点是高脉冲吸收能力和坚固的 DO-15 轴向封装，适合电源及低速接口的浪涌与静电保护；在选型时需特别注意其较大的结电容对高速信号的影响以及实际应用中的热与机械要求。