型号:

D882S

品牌:SHIKUES(时科)
封装:SOT-23
批次:25+
包装:编带
重量:0.036g
其他:
-
D882S 产品实物图片
D882S 一小时发货
描述:三极管(BJT) 1W 30V 3A NPN SOT-23
库存数量
库存:
2983
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.137
3000+
0.121
产品参数
属性参数值
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)3A
集射极击穿电压(Vceo)30V
耗散功率(Pd)1W
直流电流增益(hFE)30
特征频率(fT)90MHz
集电极截止电流(Icbo)1uA
集射极饱和电压(VCE(sat))500mV
工作温度-55℃~+150℃
射基极击穿电压(Vebo)5V
数量1个NPN

D882S 产品概述

一、概述

D882S 是 SHIKUES(时科) 出品的一款 NPN 晶体管,封装为 SOT-23,面向小功率开关与放大应用。器件主要参数:最大集电极电流 Ic=3A,集—射击穿电压 Vceo=30V,耗散功率 Pd=1W,直流电流增益 hFE=30(测试条件 Ic=20mA、VCE=2V),特征频率 fT=90MHz,集电极截止电流 Icbo=1μA,集射极饱和电压 VCE(sat)=500mV,射—基击穿电压 Vebo=5V,工作温度范围 -55℃~+150℃。小型化 SOT-23 封装适合表贴组装、空间受限的应用场景。

二、主要电气特性与工程意义

  • Vceo=30V:适用于低压到中低压电源系统,注意在高压瞬态下需留有裕量并增加保护元件。
  • Ic=3A:标称最大集电极电流,但在 SOT-23 小封装下,持续大电流受限于封装散热与 PCB 布局,应结合热阻与铜箔面积进行热设计并建议在实际应用中有裕量。
  • Pd=1W:热耗散受封装和 PCB 条件影响,建议在评估功耗时参考厂方热阻并对环境温度做降额设计。
  • hFE=30@20mA、2V:在小信号偏流下有中等放大倍数,注意在大电流开关场合通常需外加基极驱动以保证饱和。
  • fT=90MHz:具有较好的高频特性,适合中频放大或高速开关。
  • VCE(sat)=500mV:饱和压较低但非极低,作为功率开关时要考虑损耗。

三、典型应用

  • 小型直流电机驱动、继电器与固态继电器驱动(作为低侧开关)
  • LED 驱动与电流开关
  • 便携电子设备的电源管理与电平转换
  • 中功率音频前级放大器、混合信号开关与中频放大电路

四、设计与使用建议

  • 引脚排列:SOT-23 的具体引脚定义因厂商不同,请以厂方数据手册为准,常见为 Base/Collector/Emitter 排列。
  • 基极限流:设计开关时基极电流应根据期望的饱和比(forced β)计算;若要求低饱和压需较大基极电流,注意不要超过晶体管与驱动器的极限。
  • 热管理:在高 Ic 条件下,通过增大 PCB 铜箔、加热沉或并联器件来降低结温;并参考厂方热阻 θJA 做功率降额。
  • 保护措施:为防止 Vebo、Vceo 或反向电压击穿,应在电路中添加限压、反向保护二极管或 TVS 器件。
  • 寿命与可靠性:工作温度范围广(-55~+150℃),适合工业级环境,但高温长期工作需做额外降额以保证可靠性。

五、封装与采购

SOT-23 小型封装便于表面贴装和自动化生产,适合空间受限与成本敏感的批量应用。采购时注意核对 SHIKUES 的完整数据手册、器件标识与出货规格,重点确认测试条件(如 hFE 的测试电流与 VCE)与最大额定值的应用限制。

六、总结

D882S 以其 30V/3A 的额定能力、90MHz 的频率特性与 SOT-23 的小型封装,适合中低压、中等功率的开关与放大场合。实际设计中应重视热管理、基极驱动与击穿保护,按厂方数据手册进行合理降额与 PCB 布局,以确保长期稳定运行。若需进一步的引脚图、热阻与典型应用电路,请参阅 SHIKUES 官方数据手册。