NCV8184DR2G 概述

一、产品简介

NCV8184DR2G 是 ON Semiconductor（安森美）面向汽车与工业应用的高压可调线性稳压器（LDO），封装为 SOIC-8。器件支持最大工作电压 42V，输出可调范围 2.1V ~ 41.4V，最大输出电流 70mA，适用于要求稳压精度、低噪声及高抑制电源纹波的系统。

二、主要性能特性

• 输出类型：可调（通过外部分压电阻设定输出电压）。
• 工作电压：最高 42V（输入电压不得超过器件额定值）。
• 输出电压范围：2.1V ~ 41.4V，输出极性为正极。
• 输出电流：最大 70mA。
• 压差（Dropout）：350mV @ 50mA（低压差有利于低压差和高效率场景）。
• 静态电流 Iq：50μA（适合低静耗要求的应用）。
• PSRR：60dB @ 120Hz（良好的电源纹波抑制，利于模拟与射频前端）。
• 保护功能：具备过流保护与过温保护，提高系统可靠性。
• 工作结温：-40℃ ~ +150℃ (Tj)，满足汽车级温度要求。

三、电气与热设计要点

使用时需保证输入电压大于设定输出电压加上压差余量（V_IN ≥ V_OUT + V_DROP），并不超过 42V。考虑功耗：功率耗散 Pd ≈ (VIN - VOUT) × IOUT，应根据 PCB 散热能力与 SOIC-8 的热阻评估结温，避免频繁触发过热保护。低静态电流有利于待机功耗控制，但长时间高差压大电流会引起较大功耗与发热。

四、典型应用场景

适合汽车电子（车载传感、ECU 外围）、工业控制、电源模块、仪器仪表及需高压输入转换为稳定低噪声电源的小功率板级供电。良好的 PSRR 和保护功能使其在模拟前端与传感器供电中表现突出。

五、布局与使用建议

• 在输入端靠近器件放置去耦电容（如 1μF~10μF，低 ESR 陶瓷或钽电容），以抑制瞬态并确保稳定。
• 输出端也需合适电容以保证环路稳定性，参考厂商应用笔记选择类型与容量。
• 走线尽量短、粗，减小寄生电感电阻；回流路径应低阻抗。
• 对于高差压应用，优先评估功率耗散并增加铜厚或散热片以降低结温。

六、封装与可靠性

SOIC-8 封装便于手工贴装与自动化生产，满足常见 SMT 工艺。器件为汽车级规格，设计有过流及过热保护，适合严苛环境下长期可靠工作。

如需电气时序、外部电阻计算公式或典型电路图，可提供更详细的设计指导与仿真建议。