型号:

SBRT10U50SP5-13D

品牌:DIODES(美台)
封装:PDI5
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
-
SBRT10U50SP5-13D 产品实物图片
SBRT10U50SP5-13D 一小时发货
描述:超势垒整流器(SBR) 450mV@10A 50V 300uA@50V 10A Power-DI-5
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商品单价
梯度内地(含税)
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1.8
5000+
1.71
产品参数
属性参数值
正向压降(Vf)450mV@10A
直流反向耐压(Vr)50V
整流电流10A
反向电流(Ir)300uA@50V
非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)320A
工作结温范围-55℃~+150℃

SBRT10U50SP5-13D 产品概述

一、产品简介

SBRT10U50SP5-13D 是 DIODES(美台)推出的一款超势垒整流器(Super Barrier Rectifier,SBR),采用 PowerDI-5(PDI5)封装,面向需要低正向压降和较高整流能力的中小功率开关电源与功率管理应用。该器件在10A工作电流条件下正向压降仅约450mV,反向耐压50V,结合较小的反向漏电性能和高浪涌承受能力,适合替代传统肖特基二极管于多种电源拓扑。

二、主要电气与热性能

  • 正向压降(Vf):450mV @ 10A(典型/典范测试条件)
  • 直流反向耐压(Vr):50V
  • 额定整流电流:10A(连续)
  • 反向电流(Ir):300μA @ 50V(常温)
  • 非重复峰值浪涌电流(Ifsm):320A
  • 工作结温范围:-55℃ ~ +150℃
    这些参数表明器件在高峰值冲击情况下具备良好冲击吸收能力,同时在中等电压等级下保持较低的正向损耗。

三、产品优势与技术要点

  • 低正向压降:SBR 结构使得在高电流下仍能维持低 Vf,从而降低导通损耗与发热,提升效率。
  • 控制的反向漏电:相比部分超低 Vf 的肖特基器件,SBR 在高电压条件下具有更可控的反向泄漏特性,利于高温或待机场景下的系统稳定性。
  • 高浪涌承受能力:320A 的非重复峰值浪涌能力,方便应对充电、启动或短时冲击电流。
  • 宽温度范围:-55℃ 至 +150℃ 的结温范围,适合车规级或工业级温度环境(需结合具体可靠性认证与系统散热设计)。

四、典型应用场景

  • 开关电源输出整流(同步替代或混合整流)
  • DC-DC 升/降压转换器的自由轮二极管
  • 电池充放电管理与电池保护电路
  • 车载电源及车用电子模块(需验证车规认证)
  • 工业控制、电机驱动的保护与续流路径

五、工程实用建议

  • 散热与布板:PDI5 为紧凑的功率封装,但仍需在 PCB 上提供充分的铜箔散热和过孔(thermal vias)以降低结温并保证长期可靠性。尽量缩短高电流回路的走线,减小寄生电感。
  • 温度与漏电考虑:反向漏电会随温度上升显著增加,系统在高温工况下应考虑额外的热裕量或选型余量。
  • 浪涌与可靠性:若系统存在频繁大浪涌,应验证器件在实际波形下的承受能力,并考虑适当的电流裕量或浪涌抑制元件。
  • 焊接与装配:遵循制造商的回流焊工艺建议,避免过高的峰值回流温度和过长的热循环,以保护器件长期可靠性。

六、选型与比较提示

在需要在低损耗与低漏电之间取得平衡时,SBR 是一个理想选择。与传统肖特基相比,SBR 在相同 Vf 条件下通常提供更低的高温反向泄漏;与普通硅整流器相比,SBR 可显著降低导通损耗。选型时应综合考虑工作电流、最高结温、浪涌条件和封装散热能力,若系统对漏电极为敏感(如高阻输入或待机能耗极限),建议在样机阶段进行温升和漏电测试验证。

结语:SBRT10U50SP5-13D 以其450mV@10A 的低正向压降、50V 的电压等级和较低的反向漏电特性,在多种电源与保护电路中提供了高效、稳健的整流方案。正确的 PCB 散热及布线措施将充分发挥其性能优势,提高系统整体效率与可靠性。