型号:

2EDL05N06PF

品牌:Infineon(英飞凌)
封装:SOP-8
批次:25+
包装:-
重量:0.172g
其他:
-
2EDL05N06PF 产品实物图片
2EDL05N06PF 一小时发货
描述:栅极驱动器 600V half-bridge 0.7A,integrated
库存数量
库存:
2488
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:2500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
3.53
2500+
3.38
产品参数
属性参数值
驱动配置半桥
负载类型MOSFET
驱动通道数2
灌电流(IOL)700mA
拉电流(IOH)360mA
工作电压10V~20V
上升时间(tr)48ns
下降时间(tf)24ns
工作温度-40℃~+150℃@(Tj)

2EDL05N06PF 产品概述

一、概述

2EDL05N06PF 是英飞凌系列面向中高压功率开关应用的半桥栅极驱动器,集成双通道输出并适配 MOSFET 驱动需求。器件为 SOP-8 封装,适用于需要紧凑布局和成本受控的电源与逆变器设计。其设计目标是为 600V 级开关器件提供可靠、响应迅速的栅极驱动能力,兼顾开关速度与电磁兼容(EMC)控制,适用于功率因数校正(PFC)、逆变器、电机驱动、开关电源等应用场景。

二、主要参数(关键规格)

  • 驱动结构:半桥(high-side + low-side 支持或独立两通道)
  • 负载类型:专为 MOSFET 驱动优化
  • 驱动通道数:2(双通道)
  • 灌电流(IOL,sink):700 mA
  • 拉电流(IOH,source):360 mA
  • 工作电压(VCC 驱动电源):10 V ~ 20 V(典型驱动电压 10–12 V)
  • 上升时间(tr):48 ns
  • 下降时间(tf):24 ns
  • 工作结温范围(Tj):-40 ℃ ~ +150 ℃
  • 额定耐压等级:600 V(用于与高压功率开关配合的系统拓扑)
  • 封装:SOP-8,适合标准线路板安装与批量生产

三、功能与特性亮点

  • 双通道集成,缩减外部元件数量与 PCB 占板面积。
  • 较高的灌放电能力(700 mA / 360 mA),能满足绝大多数中小功率 MOSFET 在开关瞬态时的电荷快速充放需求,从而控制开关损耗与开关时间。
  • 宽工作电压范围(10~20 V),适配常见的 10–12 V 驱动电压并为某些耐高温或长线损应用提供裕量。
  • 上升/下降时间经过优化,可在兼顾开关损耗和 EMI 的前提下实现较快开关响应。
  • 宽温度范围的结温等级,适合工业级和高温应用。

四、典型应用

  • 一相/三相逆变器(太阳能逆变器、中小型电机驱动)
  • 主动功率因数校正(PFC)电路
  • 开关电源(SMPS)、复合拓扑中主/副开关驱动
  • 感应加热、焊接等工业开关场景
  • 储能和不间断电源(UPS)系统

五、设计与使用建议

  • 供电与旁路:VCC 必须稳健且靠近芯片放置低 ESR 陶瓷电容(如 100 nF~1 µF)作为旁路电容,减少瞬态电压降。高侧若采用引导电路(bootstrap),建议使用合适的 bootstrap 二极管和电容容量以支持高频切换时的驱动电荷。
  • 栅极电阻选择:根据开关速度与 EMI/振铃控制权衡选择 Rg。一般中速切换时可选 4.7 Ω10 Ω;高频或高应力场合可采用 14.7 Ω;需要更慢边沿减少 EMI 时可增大。
  • VGS 保护:为防止过压或负向脉冲,建议在栅极与源极之间并联 TVS 或 Zener 二极管,或在栅极回路设计 RC 抑制网络以抑制振铃。
  • 布局要点:将驱动器、供电旁路、bootstrap 电容和 MOSFET 的栅极电阻尽量靠放置并缩短连线,减少回路电感。单点接地(star ground)能有效降低共模噪声影响。
  • 热管理:尽管 SOP-8 体积小,仍需关注结温。在高频或高占空比场合注意驱动器在驱动瞬态时的功耗累积,保证 PCB 散热和环境温度在安全范围内,使 Tj 不超过 150 ℃。

六、可靠性与注意事项

  • 在高压半桥拓扑中,浮动节点的 dv/dt 可能在驱动芯片内部产生寄生应力,设计时应考虑隔离措施与合适的 dv/dt 限制。
  • 在高温或长时间重载运行时,关注结温与封装散热能力,避免长期接近最大 Tj 上限以延长寿命。
  • 对于关键应用,建议对样机进行电磁兼容测试、热循环与电应力验证,确保在目标工作工况下稳定可靠。

通过合理的外围电路设计与布局控制,2EDL05N06PF 能在 600V 级别半桥系统中提供稳定、迅捷且经济的栅极驱动能力,是面向工业与电力电子设计的实用选择。