CSD17501Q5A 产品概述

CSD17501Q5A 是 TI（德州仪器）推出的一款低阻抗、高电流能力的 N 沟道功率 MOSFET，适用于中低压开关电源和功率转换场合。器件在 30V 漏源耐压条件下，结合极低的导通电阻和紧凑的 8-PowerTDFN 封装，能在要求高效、体积受限的系统中提供良好的性能表现。

一、主要参数一览

• 类型：N 沟道 MOSFET
• 漏源电压 (Vdss)：30 V
• 连续漏极电流 (Id)：100 A
• 导通电阻 (RDS(on))：2.4 mΩ @ Vgs = 10 V, Id = 25 A
• 阈值电压 (Vgs(th))：约 1.3 V
• 总栅极电荷 (Qg)：13.2 nC @ Vgs = 4.5 V
• 输入电容 (Ciss)：约 2.63 nF
• 输出电容 (Coss)：约 1.7 nF
• 反向传输电容 (Crss)：约 85 pF
• 功耗 (Pd)：3.2 W
• 工作温度范围：-55 ℃ ~ +150 ℃
• 封装：8-PowerTDFN

二、特性与优势

• 极低的 RDS(on)（2.4 mΩ）在 10 V 驱动下可显著降低导通损耗，适合高电流路径。
• 较高的持续电流能力（100 A）配合紧凑封装，利于空间受限的电源设计。
• 栅极电荷适中（13.2 nC @4.5V），在使用 4.5~10V 驱动时在驱动能力与开关损耗之间取得平衡。
• 宽温度范围和可靠封装，适合工业级应用环境。

三、典型应用场景

• 同步整流/同步降压（DC-DC）转换器输出级
• 电机驱动与负载开关
• 电池管理与电源路径开关
• 服务器、通信电源和电源模块中的高密度功率级

四、设计与使用建议

• 为实现标称 RDS(on)，建议采用 10 V 驱动栅极；若仅用 4.5 V 驱动，RDS(on) 会增大，应在热设计中考虑更高的导通损耗。
• 由于封装的导热受限，建议在 PCB 上使用宽铜箔、多个过孔并增加散热层，以降低结-壳温升，提升持续电流能力。
• 在高频开关应用中注意栅极驱动布线最短、在栅极处并联合适的门阻以抑制振铃，必要时配置驱动缓冲与 RC 抑制网络。
• 对于含感性负载的应用，应考虑缓冲二极管或吸收网络以限制 Vds 峰值，保护器件免于过压冲击。

五、封装与可靠性要点

8-PowerTDFN 封装在体积与散热之间做了平衡，适合高密度布局，但长期高功率工作时仍依赖PCB散热策略。器件工作温度范围广，可满足工业级环境需求。

六、总结

CSD17501Q5A 适合需要低损耗、高电流能力且空间受限的中低压功率转换场景。合理的门极驱动、优化的 PCB 散热与良好的电磁管理将有助于发挥其高效能与可靠性。若需更详细的电气特性曲线、封装图或热阻数据，建议参考 TI 官方数据手册以获得完整规范与典型应用电路。