WS05DLC-B 产品概述

WS05DLC-B 为 Wayon（上海维安）推出的一款单路双向瞬态抑制二极管（TVS），专为信号线和低能量浪涌保护设计。器件采用 SOD-323 小封装，具备高能量吸收能力与极低结电容，适用于高密度电路板和高频信号环境的浪涌防护。

一、主要特性

• 极性：双向，适合交流或双向信号保护
• 峰值脉冲电流 (Ipp)：17 A（8/20μs）
• 峰值脉冲功率 (Ppp)：350 W（8/20μs）
• 结电容 (Cj)：典型 1 pF，利于高速接口信号完整性
• 通道数：单路
• 工作温度范围：-55 ℃ 至 +150 ℃
• 符合 IEC 61000-4-5 浪涌防护等级
• 封装：SOD-323，适合表面贴装与自动化生产

二、产品优势

• 低结电容（1 pF）对高速数据线影响小，适合 USB、HDMI、LVDS、串行总线等敏感信号线保护
• 高峰值能量吸收能力，可在短时浪涌事件中快速夹断抑制过电压，保护后级器件
• 小尺寸封装利于板空间优化，便于在受限空间内实现有效防护
• 宽工作温度范围和工业级可靠性，适合车载、通信、工业控制等恶劣环境

三、典型应用场景

• 通信设备接口保护（以太网、串口、USB）
• 消费电子中的信号线与接口保护（显示接口、触控键）
• 工业控制与自动化设备的浪涌防护
• 汽车电子中对低能量瞬态抑制的保护（需结合车规要求评估）

四、封装与可靠性

SOD-323 小封装支持贴片回流焊工艺，适合批量生产。器件设计满足 IEC 61000-4-5 浪涌测试要求，并在 -55 ℃ 至 +150 ℃ 的环境下保持性能稳定，适用于长期运行的工业与车载场合。

五、布局与使用建议

• 将 TVS 近距离并联放置于被保护器件的供电/信号入口处，尽量缩短走线长度以降低串联阻抗
• 对于高速差分信号，确保器件对称布置并匹配走线阻抗，利用其低结电容优势
• 在高能量环境建议与熔断器、串联阻抗或阻容网络配合使用，以分担更大能量并提升系统可靠性

若需具体的电气参数曲线、钳位电压、封装尺寸图或样片信息，可联系厂商技术支持获取完整数据手册与应用资料。