型号:

WFR1N4148WT

品牌:Wayon(上海维安)
封装:SOD-523
批次:25+
包装:编带
重量:0.02g
其他:
-
WFR1N4148WT 产品实物图片
WFR1N4148WT 一小时发货
描述:SOD-523
库存数量
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最小包:5000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.037
5000+
0.0303
产品参数
属性参数值
二极管配置1个独立式
正向压降(Vf)1.25V@150mA
直流反向耐压(Vr)100V
整流电流200mA
耗散功率(Pd)200mW
反向电流(Ir)1uA@75V
反向恢复时间(Trr)4ns
非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)2A

WFR1N4148WT 产品概述

WFR1N4148WT 是上海维安(Wayon)推出的一款小型快速开关整流二极管,采用 SOD-523 超小型表贴封装,适用于高密度电路板和高速信号开关场合。凭借 100V 的反向耐压、4ns 的快速恢复时间以及 200mA 的整流电流能力,该器件在便携式设备、通信模块、信号处理和通用保护电路中表现稳定可靠。

一、主要特性速览

  • 封装:SOD-523(超小型,适合高密度贴片工艺)
  • 正向压降(Vf):1.25V @ 150mA
  • 最大直流反向耐压(Vr):100V
  • 连续整流电流:200mA
  • 耗散功率(Pd):200mW
  • 反向电流(Ir):1 µA @ 75V
  • 反向恢复时间(Trr):4 ns(快速开关性能)
  • 非重复峰值浪涌电流(Ifsm):2A
  • 适合高速开关与一般整流、保护用途

二、性能解读(关键参数及意义)

  • 正向压降 Vf=1.25V@150mA:在接近器件额定工作电流时的压降,表明在直流或脉冲传输中会产生一定的功耗(Pd = Vf × I),设计时需计算热量并保证散热。
  • 反向耐压 100V:能够承受较高的反向电压,适用于需要较大阻断电压的信号或小功率电源模块。
  • 整流电流 200mA、Pd 200mW:适合低功率整流和信号路径的电流开关;对持续高电流场合需谨慎或并联散热处理。
  • 反向恢复时间 4ns:说明器件为高速恢复型,适用于快速开关、脉冲整形及高频信号切换,能减小时序误差与开关损耗。
  • 反向电流 1 µA@75V:反向漏电小,有利于高阻抗信号链或低功耗系统中的静态功耗控制。
  • 峰值浪涌电流 2A:能承受短时浪涌(如开机、浪涌尖峰),但非重复值,不能作为长期过流运行依据。

三、典型应用场景

  • 高速逻辑接口、信号整形与开关电路
  • 手机、可穿戴设备等便携产品中的保护和整流
  • 通信设备及收发模块的快速开关路径
  • 电源反向保护、钳位与浪涌抑制(在功率需求较低场合)
  • 小信号检波、采样电路与混频前端的保护元件

四、封装与组装注意事项

  • SOD-523 属超小封装,适合空间受限的 SMT 布局,但对焊接与贴装精度要求较高。
  • 建议参考厂商提供的 PCB 焊盘图与焊接模板,避免焊料过多导致桥接或过热。
  • 焊接过程建议遵循 JEDEC J-STD-020 的回流曲线规范(控制峰值温度、预热与冷却斜率),以保证器件可靠性和引脚焊接质量。
  • 小封装热阻较大,应在 PCB 布局时安排合适散热路径(例如增加铜箔面积或相邻散热层),并避免持续在额定 Pd 较高的工况下使用。

五、使用与可靠性建议

  • 在电路设计中考虑额定功耗限制:200mW 的耗散功率在常温下对应的连续工作电流需通过实际 Vf 与热阻计算并做好降额设计。
  • 若工作在高温环境或连续高电流脉冲下,建议降低额定电流或使用并联/更大封装器件以延长寿命。
  • 对于需要极低漏电或在高压反向工况下长期工作时,建议进行实际温度下的反向漏电测试以确认系统静态功耗。
  • 对于高频或高速切换应用,检查版图中的寄生电容与环路,避免因布局引起的抖动或振铃影响恢复性能。

六、总结

WFR1N4148WT 是一款面向高密度、低功耗与高速信号应用的 SOD-523 小封装快速开关整流二极管。其 100V 的耐压和 4ns 的快速恢复能力,使其在通信、便携和信号处理等场景中具有良好适用性。设计使用时需关注封装带来的散热与焊接要求,结合降额原则与 PCB 布局优化,可获得稳定且长期可靠的工作表现。如需量产或关键应用,建议索取厂家完整的器件数据手册和实际焊接/热循环测试报告以便更全面评估。