AT45DB041E-SHN-T 产品概述

一、概览

AT45DB041E-SHN-T 为 RENESAS 提供的一款串行 NOR Flash（DataFlash）存储器，容量 4Mbit，组织为 2048 页 × 264Byte，采用标准 SOIC-8-208mil 封装。器件通过 SPI 接口工作，最高时钟频率 fc 可达 85MHz，适用于需要小型、低功耗且可靠非易失性存储的嵌入式系统。

二、关键电气与性能参数

• 存储容量：4 Mbit（2048 × 264 Byte/page）
• 接口类型：SPI，支持高速串行访问，适配常见微控制器外设
• 时钟频率：最高 85 MHz，支持快速读写操作
• 工作电压：1.65 V ～ 3.6 V，适用于 1.8V 和 3.3V 系统
• 待机电流：典型 25 µA，适合低功耗待机场景
• 页写入时间（Tpp）：典型 3 ms / page
• 擦写寿命：100,000 次周期（典型）
• 数据保持（TDR）：20 年
• 工作温度：-40 ℃ ～ +85 ℃

三、可靠性与寿命

该器件具备高擦写寿命（10^5 次）与长期数据保持能力（20 年），适合长期运行且需频繁更新的配置或日志存储。工作温度范围覆盖工业级要求，满足多数工业与仪表应用的使用场景。

四、封装与布局建议

SOIC-8-208mil 标准封装便于 PCB 摆放与手工焊接。设计时建议在 VCC 近旁放置 0.1µF 去耦电容，并在电源引脚和地之间增加额外的滤波以抑制瞬态噪声。SPI 片选线（CS）建议由主控合理驱动，避免总线上争用。

五、典型应用场景

• 嵌入式固件存储与引导（Bootloader/Backup）
• 参数表、配置数据与校准值保存
• 数据记录与日志（需按页管理写入）
• 消费类与工业设备中小容量非易失性存储需求

六、设计要点与注意事项

• 由于页结构为 264 Byte，软件应按页对齐进行编程与擦写，以优化写入效率与延长寿命。
• 工作电压下限为 1.65V，若系统电压接近下限，需验证信号电平与时序稳定性。
• 高速 SPI 下注意走线阻抗、终端及时序裕量，保证在 85MHz 工作时数据完整性。
• 关注写保护与电源上电/断电时机，避免未完成写操作时掉电导致数据损坏。

该产品以其高速 SPI、工业级电压与温度范围、低功耗及高可靠性，适合对中等容量非易失性存储有严格性能与寿命要求的嵌入式系统。