BSS138-TP-ES 产品概述

一、产品简介

BSS138-TP-ES 是静芯微（ElecSuper）出品的一款小功率 N 沟增强型 MOSFET，采用 SOT-23 封装，面向低功耗开关和信号级电平控制场景。器件额定 Vdss=60V、连续漏极电流 Id=400mA，适用于需要较高耐压但电流不大的应用。器件工作温度范围宽，-55℃ 至 +150℃，适合多种工业与消费类电子环境。

二、主要参数

• 类型：N 沟道 MOSFET（增强型）
• 漏源电压 Vdss：60V
• 连续漏极电流 Id：400mA
• 导通电阻 RDS(on)：1.5Ω @ Vgs=10V
• 耗散功率 Pd：417mW（环境与 PCB 散热相关需查阅实际降额曲线）
• 阈值电压 Vgs(th)：1V @ Id=250µA
• 栅极电荷量 Qg：650pC @ Vgs=4.5V
• 输入电容 Ciss：25pF；反向传输电容 Crss：2.2pF；输出电容 Coss：9.7pF
• 工作温度：-55℃ ~ +150℃
• 封装：SOT-23；单只包装，数量：1

三、性能特点

• 高耐压：60V 额定耐压使其在 24V/36V 及更高工况中仍有余量，适合车载辅助电路与中低压开关。
• 逻辑门控兼容：阈值电压约 1V，易被低电平驱动检测到，但标称 RDS(on) 测试为 Vgs=10V 条件下，若使用低电压驱动（如 3.3V/5V），导通电阻会显著增大。
• 小尺寸封装：SOT-23 占板面积小，便于高密度 PCB 布局。
• 开关特性提示：标称栅极电荷量较大（Qg=650pC），在高频开关时需要注意驱动能力与开关损耗；Ciss、Coss 与 Crss 的典型值有助于评估驱动与稳定性。

四、典型应用

• 低电流开关与功率管理：小型继电器或继电器驱动、负载断电控制。
• 电平移位与接口保护：作为电平换挡或上拉/下拉开关元件。
• 便携式与消费电子：电源路径控制、待机电源切换。
• 工业控制与传感器前端：在耐压与散热满足时用于信号隔离或驱动小负载。

五、封装与引脚定义

• 封装：SOT-23（小型三引脚）
• 常见引脚排列（请参考最终器件数据手册以校准）：
  • 引脚1：G（栅极）
  • 引脚2：D（漏极）
  • 引脚3：S（源极）
• PCB 布局建议：尽量加大漏极与源极附近的铜箔，利于散热并降低接触电阻。

六、热与可靠性建议

• 耗散功率 Pd=417mW 为器件在参考环境与焊盘条件下的额定值，实际使用中应随环境温度上升按热阻曲线降额。SOT-23 封装散热有限，高占空比或持续导通时建议扩大铜箔散热或降低载流。
• ESD 防护：栅极对静电敏感，建议在生产与装配过程中做好静电防护，必要时在 PCB 上增加 RC 缓冲或 TVS 保护。

七、选型与使用注意事项

• 若电路需在较低 Vgs（3.3V 或 5V）驱动并承载较大电流，需评估实际 RDS(on) 增大带来的功耗与发热，必要时选择低 RDS(on) 的逻辑级 MOSFET。
• 高频开关场合需注意 Qg 较大带来的驱动损耗，可能要求专用栅极驱动器或缓冲级。
• 在设计前请参考 ElecSuper（静芯微）官方完整数据手册获取详细电气特性曲线、降额图和典型应用电路，以确保最终应用的可靠性与性能。

总体来看，BSS138-TP-ES 为一款耐压高、封装小巧的 N 沟道 MOSFET，适合耐压优先且电流需求不大的开关与控制场景。正确的栅极驱动和 PCB 散热设计是发挥其性能的关键。