BZM55B15-TR 产品概述

一、产品概况

BZM55B15-TR 是 VISHAY（威世）出品的一款 MicroMELF 封装的 15V 稳压（二极管）器件，属于独立式稳压二极管。标称稳压值 15V，规格范围 14.7V～15.3V，最大耗散功率 Pd = 500 mW。器件反向漏电流 Ir 极小，资料中给出 100 nA（在说明条件下测量）。动态阻抗方面，规格提供 Zzt = 11 Ω（稳压区测试阻抗）与 Zzk = 30 Ω（击穿区或拐点区域阻抗）。说明中还出现“100nA@11V 110Ω”的描述，疑为测量条件或印刷差异，本概述以上述主要参数为准并结合实际应用给出建议。

二、主要电气参数解读

• 稳压值（Vz，标称）：15 V；允许范围：14.7 V ～ 15.3 V，反应器件制造公差与温度漂移后稳定区间。
• 最大耗散功率（Pd）：500 mW，表示在推荐散热条件下器件允许的最大稳态功耗。
• 反向电流（Ir）：≈100 nA（在指定电压测量），表明在低电流时泄漏极小，适合低功耗参考场合。
• 稳压阻抗（Zzt）：11 Ω（通常在规定测试电流下测得），影响稳压时的纹波抑制与输出阻抗。
• 拐点阻抗（Zzk）：30 Ω，反映在接近击穿拐点区域的非线性特征。

三、特点与优势

• 小型 MicroMELF 玻璃封装，体积小，适合密集布局及轴向插件场合；封装对引线连接可靠性好。
• 低漏电、较小稳压阻抗，有利于作低噪声的基准或偏置源。
• 500 mW 的耗散能力在小功率稳压、信号线保护及等用途上具有实用性。
• VISHAY 品牌保证批次一致性和长期可靠性，适合集成于工业与消费电子产品中。

四、典型应用场景

• 作为基准/参考电压源（低成本电路）。
• 输入或信号线的过压钳位保护与稳压。
• 放大器、比较器偏置与温度补偿电路。
• 便携设备、仪表和传感器等对体积与功耗有要求的场合。

五、散热与电流计算（设计注意）

在稳压状态下，器件最大允许电流可由 Imax ≈ Pd / Vz 估算：Imax ≈ 0.5 W / 15 V ≈ 33 mA。设计时应：

• 避免长期工作接近 Imax，建议在实际应用中保守选取，长期运行时最好低于额定功率的 50% 以提高寿命与稳定性。
• 采用合适的串联限流电阻：R = (Vin_min - Vz) / Iz（其中 Iz 为工作稳压电流，需同时满足负载电流要求）。
• 注意器件所在 PCB 区域的散热能力；MicroMELF 为玻璃轴向封装，需避免高温焊接或机械应力。

示例：若输入 24 V，目标稳压 15 V，取 Iz = 10 mA，则 R ≈ (24 − 15) / 10 mA = 900 Ω；稳压二极管上耗散 Pz ≈ (24 − 15) × 10 mA = 90 mW，安全可行。

六、选型与使用建议

• 如需更低稳压阻抗或更高稳定度，应在数据表中查找测试电流条件并在该条件附近使用。
• 对于参考源用途，常配合旁路电容以抑制噪声；对快速瞬态或浪涌，需考虑额外的限流或吸收器件。
• MicroMELF 为脆弱玻璃封装，焊接时遵循厂商推荐的温度与时间曲线，避免过热与机械挤压。
• 设计时考虑温度漂移与长期漂移，必要时采用温度补偿或后级精密参考电路。

七、替代与可靠性

VISHAY 的 BZM55 系列以一致性与可追溯性著称，若需替代可在相同封装与功率等级下选择其它厂商的 15 V / 500 mW MicroMELF 稳压二极管，替换前请核对稳压范围、Zzt、Ir 与测试条件以保证性能匹配。

总结：BZM55B15-TR 适用于小功率、对体积与漏电要求严格的稳压与钳位场合。设计时重点控制通过稳压二极管的电流与器件散热条件，遵循数据表推荐的测试及焊接工艺即可获得长期可靠的性能表现。若需精确设计参数或波形响应，建议参考 VISHAY 的完整数据手册与器件原始曲线图。