TPNUP2105LT1G 产品概述

一、产品简介

TPNUP2105LT1G 是 TECH PUBLIC（台舟电子）推出的一款双路双向瞬态电压抑制（TVS/ESD）器件，封装为 SOT-23。器件专为静电放电（ESD）和浪涌干扰防护而设计，适用于工业接口与消费类电子的输入/输出端保护，能在受扰动时快速钳位，保护下游电路不被破坏。

二、主要参数与性能

• 极性：双向（适合差分线或可正负切换的信号线）
• 反向截止电压 Vrwm：24 V（适用于 24 V 及以下工作电压的保护场景）
• 击穿电压 Vbr：约 26.7 V（器件进入受控导通区的起始电压）
• 钳位电压 Vclamp：约 43 V（在浪涌/冲击条件下对电压的钳位水平）
• 反向电流 Ir：80 nA（静态漏电流低，对精密电路干扰小）
• 结电容 Cj：25 pF（中等电容，对中低速数据信号影响有限）
• 通道数：双路（单封装内可保护两条信号线或一对差分线）
• 防护标准：满足 IEC 61000-4-2（ESD）与 IEC 61000-4-4（EFT）规范

三、典型应用场景

• 工业控制总线和传感器接口（24 V 工业现场总线的输入保护）
• USB、UART、RS-232/RS-485、CAN 等通信端口的过压/静电防护（需评估速率与电容影响）
• 消费类电子设备的外部连接器保护（比如充电口、外设接口）
• PCB 输入端与连线处的浪涌抑制和系统级保护

四、设计与布局建议

• 放置位置：尽量靠近受保护的连接器或线路入口处，缩短从源头到器件的走线长度以降低串扰和抑制效率损失。
• 地线与走线：为保证放电回路低阻值，器件附近应有良好地平面或低阻路径；避免高阻长回路。
• 串联元件：在某些设计中可与小阻值串联电阻或共模电感配合使用，以改善吸收能量能力与高频性能。
• 对高速信号：Cj=25 pF 对中低速信号影响可接受，但对极高速差分接口（如 USB3.x、PCIe 等）需评估时域/频域影响，必要时选择更低电容方案。

五、封装与可靠性

SOT-23 封装占板面积小、易于自动贴装，适合空间受限设计。器件通过 IEC 61000-4-2/4-4 等抗扰动测试，能在常见静电和脉冲干扰下提供有效保护，适合工业与民用场景的静电浪涌防护要求。

六、选型与应用提示

• 若系统工作电压接近或超过 24 V，应检查器件 Vrwm 是否满足系统安全裕度。
• 对于对信号完整性敏感的应用，优先评估结电容对波形的影响并做实际测试。
• 若需更高能量吸收或更低钳位电压，考虑并联或更高规格的 TVS 器件。

小结：TPNUP2105LT1G 以其双路、双向结构与小巧 SOT-23 封装，为 24 V 及以下系统提供了一种低漏电、能效稳健的静电与浪涌保护方案，适用于多种工业与消费电子接口的防护设计。