2N7002M3T5G-ES（ElecSuper 静芯微）产品概述

一、产品简介

2N7002M3T5G-ES 是 ElecSuper（静芯微）推出的一款超小封装 N 沟道增强型场效应管，采用 SOT-723 封装，面向便携与空间受限的应用场景。器件额定漏源电压为 60V，适用于低功耗开关和信号级场合，单只包装，方便于表面贴装和高密度 PCB 设计。

二、主要参数（典型值）

• 类型：N 沟道 MOSFET
• 漏源电压 Vdss：60V
• 连续漏极电流 Id：180mA
• 导通电阻 RDS(on)：1.9Ω @ Vgs=10V；2.4Ω @ Vgs=4.5V
• 最大耗散功率 Pd：150mW
• 阈值电压 Vgs(th)：1.5V @ Id=250µA
• 栅极电荷 Qg：1.12nC @ Vgs=10V
• 输入电容 Ciss：30.5pF；输出电容 Coss：5.5pF；反向传输电容 Crss：4.1pF
• 工作温度范围：-55°C ~ +150°C
• 封装：SOT-723（超小型三引脚）

三、产品特点与优势

• 超小型 SOT-723 封装，适合高密度板面与微型模块设计。
• 60V 耐压，能满足较高电压侧的开关需求。
• 低阈值且较小栅极电荷，便于由 MCU 或逻辑电平直接驱动（在满足电流需求的前提下）。
• 典型 RDS(on) 适合小电流信号开关与负载断接，功耗低，稳定性好。
• 宽工作温度范围，适用于工业级环境。

四、典型应用场景

• 逻辑电平转换与接口隔离（如微控制器到高电压侧的小信号开关）。
• 便携式设备的开关控制、负载断接。
• 信号调理、低电流电源路径控制与保护电路。
• 工业控制与消费电子中对空间与成本敏感的场合。

五、设计与使用建议

• 在设计中应关注最大耗散功率（150mW），建议在 PCB 设计时留出合适散热路径并进行热功率分散或限流保护，以避免长期工作下过热。
• 由于 RDS(on) 在不同 Vgs 下差异明显，需根据实际驱动电压选择合适的栅极驱动器，若驱动电压仅为 3.3V，应验证导通电阻与功耗是否满足系统需求。
• 推荐在栅极添加合适的阻尼电阻以抑制环路振荡，并在高频开关场合考虑栅极驱动的上升/下降时间控制，避免过大的瞬态损耗。
• 器件为静电敏感元件，建议在贴装与测试过程中采取 ESD 防护措施。

六、封装与订购信息

• 封装形式：SOT-723，3 引脚（G、D、S）。
• 单位包装：单只或卷带视供应情况而定。
• 品牌：ElecSuper（静芯微），型号：2N7002M3T5G-ES。

本概述基于器件主要电气参数与典型应用给出，设计时请参考厂家完整数据手册以获得准确的极限参数、典型特性曲线及封装引脚图。