CL31B475KBHNFNE 产品概述

一、产品简介

CL31B475KBHNFNE 为三星（SAMSUNG）生产的一款多层陶瓷电容（MLCC），标称容量 4.7µF，公差 ±10%，额定直流电压 50V，介质材料为 X7R，封装为 1206（公制 3216，约 3.2mm × 1.6mm）。该器件以高容值与较小封装兼顾，被广泛用于中高电压下的去耦、滤波与旁路场合。

二、主要参数

• 容值：4.7 µF
• 精度：±10%
• 额定电压：50 V DC
• 温度系数：X7R（-55°C 至 +125°C，容值随温度变化在可接受范围内）
• 封装：1206（3216 公制，约 3.2 × 1.6 mm）
• 品牌：SAMSUNG

三、性能特点

• 容值密度高：在 1206 体积下提供 4.7µF 的容量，适合空间受限但需要较大容量的应用。
• X7R 介质：较好的温度稳定性和介电常数，适用于一般电源去耦和滤波，不适用于高精度时间或参考电路（应使用 C0G/NP0）。
• 高频性能良好：低等效串联阻抗（ESR）和良好自谐频率特性，适合抑制高频噪声。
• 表面贴装，兼容常规回流焊工艺。

四、典型应用场景

• 开关电源（SMPS）输入/输出去耦、能量储存
• DC-DC 转换器的旁路与滤波
• 模拟电路的电源滤波（非高精度基准）
• 工业、通信及消费电子中对中高电压旁路的通用用途

五、焊接与使用建议

• 注意直流偏置效应：X7R 型 MLCC 在高偏置电压下会产生显著的容量下降，设计时应参考厂方直流偏置曲线并留有裕量，关键电路建议实测工作电压下的有效电容。
• 温度与老化：长期工作在高温或接近额定电压时，容值可能随时间发生轻微变化，应在设计裕度内考虑。
• 焊接工艺：兼容标准回流焊，按推荐的回流曲线控制峰值温度与保温时间，避免过猛的热冲击。
• 贴片与走线：为保证可靠性，采用推荐的焊盘尺寸与过孔布局，避免在焊盘附近产生机械应力集中。

六、选型与替代建议

• 若对温度稳定性和容值漂移要求更严格，考虑改用 C0G/NP0 类型（但容量会显著降低）。
• 若空间允许且需降低直流偏置影响，可选择更大体积或不同介质的 MLCC。
• 采购时留意批次、老化与打样测试，尤其在高电压应用中建议索取厂方偏置/温度特性曲线以确认实际表现。

本产品以其在小封装下的较大容值和适用的温度范围，成为多种中高压电源旁路与滤波设计中常用的选择。设计时应充分考虑 X7R 的偏置与温度特性，做好实际工况下的验证。