S1M 产品概述

S1M 为华轩阳电子（HXY MOSFET）推出的一款通用独立式整流二极管，面向高电压、小电流的整流与保护场合。器件在高达1000V的反向电压下仍维持极低的漏电特性，同时具备良好的浪涌承受能力和宽温度工作范围，适合开关电源、高压整流及保护用途。

一、主要参数

• 二极管配置：独立式（单只封装）
• 正向压降（Vf）：1.1V @ 1A
• 直流反向耐压（Vr）：1000V
• 额定整流电流：1A
• 反向电流（Ir）：5μA @ 1000V
• 非重复峰值浪涌电流（Ifsm）：30A
• 工作结温范围：-55°C ~ +150°C
• 封装：SOD-123F
• 品牌：HXY MOSFET（华轩阳电子）

二、性能亮点

• 高耐压：1000V 的反向耐压使其能直接应用于高压整流、飞返回路和高压保护场景。
• 低正向压降：1.1V @ 1A 的正向压降在同类高压整流器件中表现良好，有助于降低导通损耗。
• 低反向漏流：5μA @ 1kV 的低反向电流提高了在高压、待机或高阻抗回路中的可靠性与稳定性。
• 峰值浪涌能力：30A 的非重复峰值浪涌电流可承受开机、短路或突发脉冲能量，但长期或重复冲击需遵循器件浪涌能量限制。

三、典型应用

• 开关电源（高压整流二极管、次级保护）
• 高压直流电源与整流模块
• 电池充电器、能量回收与逆变器保护回路
• 工业控制设备的反向保护与钳位电路
• 显示器、照明等含高压驱动电路的整流与保护

四、封装与热管理

SOD-123F 小型封装便于贴片安装并节省PCB空间，但受限于散热面积，1A 连续工作时器件功耗（约等于If×Vf）会导致显著结温上升。建议：

• 在PCB设计时增加铜箔散热面积或使用热扩散层。
• 对于长时间大电流或高环境温度场合，进行结温计算并适当降额使用。
• 参考完整数据手册中的热阻与降额曲线选择合适的封装布局。

五、可靠性与使用建议

• 在选型与设计时，必须核对浪涌脉冲的具体测试条件（半正弦波宽度等），以确认30A Ifsm 的适用范围。
• 尽量避免长期在最高结温或最大反向电压下工作，建议留有安全裕度以提升可靠性。
• 对于关键应用，在样机阶段进行温度、寿命和电气应力测试验证。

六、选购与替代

S1M 适合需要兼顾高压耐受与小体积封装的场合。采购时请确认批次与出厂检验记录，并根据应用决定是否需要更低Vf 或更高Ifsm 的替代件。若需更高浪涌能力或更低正向压降，可咨询供应商获取系列中相近规格的器件型号与datasheet。

总结：S1M（华轩阳电子）是一款面向高压整流与保护应用的通用独立二极管，具有1000V 耐压、1A 整流能力和低漏电特性，适用于多种工业与消费电子产品的高压电路，合理的热设计与合适的使用边界能确保长期稳定工作。