ESD56161D04-3/TR 产品概述

一、产品简介

ESD56161D04-3/TR 是 WILLSEMI（韦尔）推出的一款单向瞬态电压抑制（TVS）二极管，封装为 DFN2x2-3L。器件专为对抗静电放电（ESD）和雷击浪涌（Surge）干扰而设计，适用于需要稳压保护的低电压线路，尤其是对 5V 体系的浪涌与静电防护场合。

二、主要电气参数

• 极性：单向（正向导通时保护地线）
• 反向截止电压 Vrwm：4.5 V（适合 5 V 轨电源的工作电压下限）
• 击穿电压 Vbr：典型 5.7 V
• 钳位电压 Vclamp：14 V（基于 8/20 µs 波形条件下）
• 峰值脉冲电流 Ipp：250 A @ 8/20 µs
• 峰值脉冲功率 Ppp：3.5 kW @ 8/20 µs
• 反向漏电流 Ir：8 μA（在 Vrwm 条件下）
• 结电容 Cj：4200 pF（较大）
• 工作温度：-40 ℃ ~ +85 ℃
• 符合防护等级：IEC 61000-4-5（浪涌），IEC 61000-4-2（静电）

三、应用建议

该器件适合用于 USB、充电口、电源轨及需要对大冲击能量进行抑制的接口保护场景，尤其是对抗雷击浪涌与强烈静电放电。由于结电容较高（4200 pF），不推荐直接用于高频高速差分信号（如高速 USB 3.0、差分高速数据总线）上，以免影响信号完整性。更适合用于电源线、低速控制信号或作为总线上级保护器件。

四、封装与布局要点

DFN2x2-3L 小型封装利于紧凑 PCB 布局。推荐实践：

• 将 TVS 器件尽量靠近被保护的外部连接器或信号入口放置，缩短导线长度以降低寄生感抗。
• 采用单点接地并保持到系统接地的低阻抗连接，避免在地线上形成回路。
• 对于高能量浪涌场合，建议在 TVS 与敏感器件之间串联限流元件（电阻或共模扼流器）以分担能量。
• 注意焊盘与回流焊工艺兼容性，遵循厂方推荐焊盘尺寸与回流曲线。

五、选型与注意事项

• 若系统对信号带宽或微弱信号敏感，应优先考虑低电容 TVS 器件或在保护级联中采用带隔离的方案。
• 钳位电压在大电流脉冲下可达 14 V，需确认下游器件可耐受该瞬态电压或通过限流措施降低能量传递。
• 反向漏电流 8 μA 在低功耗系统中应纳入功耗预算。
• 器件工作温度覆盖常见工业与消费级应用范围，但在高温或更严苛环境下应评估长期可靠性。

总结：ESD56161D04-3/TR 提供高能量吸收能力与合规的 ESD/Surge 防护，体积小巧，适用于 5V 类电源与低速信号的抗干扰保护。在布板与选型环节需重点考虑其较高的结电容与钳位特性，以确保系统信号完整性与下游器件安全。