PTVSHC3N24VUH 产品概述

一、产品简介

PTVSHC3N24VUH 是 Prisemi（芯导）推出的一款单路瞬态抑制二极管（TVS），专为静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和雷击/浪涌（Surge）等瞬态过压事件提供保护。器件采用 DFN-3 (2×2 mm) 小封装，适合高密度布板与自动贴装生产，适配工业级 24V 直流系统及类似应用的过压防护需求。

二、主要性能参数

• 反向工作电压（Vrwm）：24 V
• 击穿电压（V(BR)）：典型 27 V
• 钳位电压（Vclamp）：典型值 34 V ～ 40 V（随脉冲电流级别变化）
• 峰值脉冲电流（Ipp）：140 A @ 8/20 µs
• 反向漏电流（Ir）：1 µA（在 Vrwm 条件下）
• 结电容（Cj）：约 800 pF（较大，需要在高频信号线路上慎用）
• 通道数：单路
• 防护等级与标准：符合 IEC 61000-4-2（ESD）、IEC 61000-4-4（EFT）、IEC 61000-4-5（Surge）

三、封装与机械特性

• 封装：DFN-3，外形尺寸约 2.0 × 2.0 mm
• 适合表面贴装（SMT）工艺，底部设有散热焊盘以提升能量耗散能力
• 小体积利于空间受限设备的布局

四、应用场景

PTVSHC3N24VUH 非常适合用于需要 24V 直流保护的场合，例如：

• 工业控制与自动化设备的信号线与电源防护
• 通信与接入设备的电源入口保护
• 电源适配器、PoE 辅助线路（需考虑结电容影响）
• 仪表与测控终端的浪涌与静电防护

五、设计与使用建议

• 布局：将 TVS 器件尽可能靠近受保护连线或接口放置，缩短导线与走线长度以降低感抗，尽量直接接地或接至公共参考地。
• 接地：为获得最佳防护效果，建议使用较低阻抗的接地平面或地线，避免长回流路径。
• 对高频信号：器件结电容约 800 pF，可能对高速数据线造成信号畸变，不建议直接用于对带宽敏感的高速差分信号（如 USB3.x、千兆以太网等）。
• 热与功率：在高能冲击场景下注意 PCB 散热，必要时留凉铜或加大焊盘面积以提升脉冲能量吸收能力。
• 配合元件：在对抗大量连续脉冲或特殊浪涌时，可与串联阻抗、共模电感或熔断器等配合使用以分担能量和限制电流。

六、可靠性与合规

该型号面向通过 IEC 61000-4 系列抗扰度要求的应用场景设计，能在常见的静电放电、脉冲群与浪涌事件中提供有效钳位与钳位能量吸收能力。建议在产品验证阶段结合系统级 EMC 测试，依据具体应用调整保护布置与器件选型。

七、订购信息与替代

• 型号：PTVSHC3N24VUH
• 品牌：Prisemi（芯导）
• 封装：DFN-3 (2×2)
  如需更低结电容或更高/更低工作电压的保护器件，可参考同系列或其它型号以满足特定信号完整性与保护能量需求。

如需电路示例、PCB 布局建议或与具体系统兼容性评估，请提供目标应用的电气参数与拓扑，以便给出更详细的工程建议。