1SS319 (TE85L,F) 产品概述

一、产品简介

1SS319（TE85L,F）为东芝（TOSHIBA）出品的小型肖特基二极管，采用双独立式构造（两个独立通道），适用于对正向压降和开关速度有较高要求的便携及消费类电子产品。封装为 SC-61B，体积小、适合表面贴装工艺。

二、主要特点

• 肖特基结构，正向压降低：Vf = 600 mV @ 100 mA（典型/测试条件）。
• 直流反向耐压：Vr = 40 V，适合中低电压隔离与保护场合。
• 正向整流电流（额定）：IF = 100 mA，满足小电流整流与保护要求。
• 低反向漏电流：Ir = 5 µA @ 40 V（常温），有利于低功耗电路。
• 瞬态浪涌能力：非重复峰值浪涌电流 Ifsm = 300 mA（单次脉冲）。
• 双通道独立布局，便于并联或配置为双路保护与整流。

三、典型应用

• 低压电源整流与取样（便携设备、充电器辅助回路）。
• 反向极性保护与电源路径选择（OR-ing）场合。
• 快速开关二极管需求的接口保护（逻辑电平保护、电源管理）。
• 在对正向压降敏感的低电压回路中用作低损耗导通元件。

四、关键参数要点说明

• 正向压降数据以 100 mA 为参考点；在更低电流下 Vf 会更低，适用于低耗场景。
• 40 V 的反向耐压限定了其在中高压环境下的使用，请避免在超过额定 Vr 的长期反向应力下工作。
• 反向漏电流随温度上升显著增加，热管理不当会影响待机功耗与反向耐压安全裕度。
• Ifsm 为非重复短时脉冲额定值，不作为循环或频繁浪涌工作条件使用的依据。

五、封装与 PCB 布局建议

• SC-61B 为小型表面贴装封装，建议将元件放置靠近被保护器件或电源输入端，缩短关键走线以降低寄生电感与电阻。
• 为改善热散与电流承载能力，适当加宽铜箔过孔与焊盘，保证散热路径；若长期接近 100 mA 应考虑热降额。
• 焊接兼容常规回流工艺，但请遵循厂商推荐的回流温度曲线及湿敏等级处理。

六、使用注意事项

• 避免在高温环境下长时间以额定电流工作，应根据环境温度进行电流降额。
• Ifsm 为非重复值，严禁作为重复浪涌或钳位频繁使用。
• 若电路对漏电流极为敏感，可在系统级评估温度引起的 Ir 变化并预留裕量。
• 起始选型时注意与系统其他保护元件（如 TVS、保险丝）配合，避免冲突或误触发。

七、选型建议

当设计目标是低正向压降、快速响应及中低电压保护场合，且工作电流在 100 mA 以内、反向电压不超过 40 V 时，1SS319 是经济且实用的选择。若需要更高的耐压或更大的持续电流，应考虑更高规格的肖特基或硅整流器件。