型号:

NSI8260W0-DSWR

品牌:NOVOSENSE(纳芯微)
封装:SOIC-16-300mil
批次:25+
包装:编带
重量:0.81g
其他:
-
NSI8260W0-DSWR 产品实物图片
NSI8260W0-DSWR 一小时发货
描述:通用 数字隔离器 5000Vrms 6 通道 150Mbps 200kV/µs CMTI 16-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
库存数量
库存:
4870
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:1000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
5.37
100+
4.29
1000+
4.11
产品参数
属性参数值
正向通道数6
反向通道数0
最大数据速率150Mbps
隔离电压(Vrms)5000
CMTI(kV/us)200kV/us
传播延迟(tpd)15ns
功能特性通道方向可配置;上电复位;输出状态可配置
工作电压(VCCA)2.5V~5.5V
工作电压(VCCB)2.5V~5.5V
工作温度-40℃~+125℃

NSI8260W0-DSWR 产品概述

一、产品简介

NSI8260W0-DSWR 是纳芯微(NOVOSENSE)推出的一款通用数字隔离器,提供 6 路单向隔离通道(正向 6 通道,反向 0 通道),适用于中高速数字信号隔离场合。器件支持最高 150 Mbps 数据速率,隔离耐压达 5000 Vrms,能在严苛工业环境中提供可靠的信号分离与保护。

二、主要规格

  • 型号:NSI8260W0-DSWR(NOVOSENSE / 纳芯微)
  • 通道数:正向 6 通道,反向 0 通道
  • 最大数据速率:150 Mbps(每通道)
  • 隔离电压:5000 Vrms
  • 共模瞬变抑制能力(CMTI):200 kV/µs
  • 传播延迟(tpd):约 15 ns
  • 工作电压:VCCA = 2.5 V ~ 5.5 V,VCCB = 2.5 V ~ 5.5 V
  • 工作温度:-40 ℃ ~ +125 ℃(工业级)
  • 封装:SOIC-16-300mil(0.295" / 7.50 mm 宽)

三、性能与优势

  • 高隔离强度:5000 Vrms 隔离电压可有效保护低压侧与高压侧,适合工业测控与电源隔离应用。
  • 强抗干扰能力:200 kV/µs 的 CMTI 对快速共模瞬变具有良好抑制,适合高噪声环境下保持信号完整性。
  • 宽电源兼容:VCCA 与 VCCB 均支持 2.5 V 至 5.5 V,便于与多种逻辑电平(如 3.3V、5V)直接接口。
  • 中高速通信:150 Mbps(配合 15 ns 延迟)可应对 UART、SPI、I2C(降速模式)、传感器总线以及一般数字控制链路的需求。
  • 工业级工作温度:-40℃ 至 +125℃ 适合室外、汽车或工业控制柜等恶劣温度环境。

四、典型应用场景

  • 工业自动化:PLC、现场总线、I/O 隔离模块。
  • 电源与逆变器控制:开关频率控制信号与测量回路隔离。
  • 数据采集与测量仪器:将高压测量侧与控制侧电隔离,保护设备与人员安全。
  • 通信接口:不同电位域之间的数字信号隔离。
  • 智能电表与电能质量监测:实现高压侧信号安全传输到处理单元。

五、设计与布局建议

  • 电源去耦:VCCA 与 VCCB 侧分别靠近器件放置 0.1 µF 和 1 µF 去耦电容,减小导线电感与供电噪声。
  • PCB 布局:保持隔离区(creepage/clearance)与制造商建议一致,避免穿越隔离沟道布线。
  • 地线处理:隔离两侧应使用各自独立接地,尽量避免共地回路;必要时在系统级采用单点接地或滤波网络。
  • 信号完整性:对高速通道采用恰当阻抗匹配与终端电阻,控制上升/下降沿速率以降低 EMI。
  • 热管理:在高温环境或高密度布局下注意散热空间,保证器件工作在额定温度范围内。

六、封装与采购信息

NSI8260W0-DSWR 以 SOIC-16(300 mil)封装提供,适配标准 16 引脚 DIP/SOIC PCB 布局,便于现有设计替换或升级。器件由 NOVOSENSE(纳芯微)生产,适合追求高隔离性能与工业级可靠性的系统设计。若需进一步的引脚图、时序图或参考设计,建议查阅厂家规格书与评估板资料以完成电路验证。