NJM064CG-TE2 产品概述

一、主要特点

NJM064CG-TE2 是 NISSHINBO 推出的双路 J-FET 输入运算放大器，工作电源范围宽（4 到 18V），适用于单电源或对称电源系统。J-FET 输入结构带来极低的输入偏置电流（Ib = 30 nA），适合高阻抗信号源。器件静态电流仅 200 μA（典型），适合对功耗敏感的便携或电池供电应用。

二、关键电气参数

• 输入偏置电流（Ib）：30 nA（典型）
• 输入失调电压（Vos）：15 mV（典型）
• 失调电压温漂（Vos TC）：10 μV/℃
• 共模抑制比（CMRR）：90 dB
• 压摆率（SR）：3.5 V/μs
• 静态电流（Iq）：200 μA（典型）
  封装形式为 SO-14P，型号：NJM064CG-TE2（Dual J-FET Op Amp）。

三、典型应用场景

• 精密直流放大与信号调理：低偏置和低温漂有利于传感器信号的长期稳定放大。
• 高阻抗源缓冲：适用于电化学传感器、压电传感器、光电二极管前端等高阻抗信号的缓冲与放大。
• 主动滤波与低频放大器：良好的 CMRR 与低静态电流适合低频信号处理与多级滤波网络。
• 低功耗便携设备：200 μA 的静态电流有利于延长电池寿命。

四、设计与布局建议

• 电源去耦：在供电引脚靠近器件放置 0.1 μF 陶瓷电容与 1 μF 电解/钽电容的组合，抑制高频噪声和低频纹波。
• 输入泄漏控制：对于极高阻抗的输入，建议在 PCB 上使用保护涂层或 guard 环路，避免表面漏电影响。
• 失调校正：若系统对直流精度要求更高，可采用外部失调补偿或差分测量方法降低 Vos 的影响。
• 负载与带宽匹配：压摆率 3.5 V/μs 对于音频和低频控制应用足够，但驱动大电容性负载或高速脉冲时需在输出串联小电阻以保证稳定性。

五、封装与采购信息

• 品牌：NISSHINBO
• 型号：NJM064CG-TE2
• 封装：SO-14P（双运放封装）
  采购时请确认器件的典型与最大值参数，以便满足特定温度与工况下的指标需求。

六、总结

NJM064CG-TE2 将 J-FET 输入的高输入阻抗与低功耗特性结合，提供较好的直流精度与稳定性（Vos=15 mV、Vos TC=10 μV/℃、Ib=30 nA），同时保持适用的动态性能（SR=3.5 V/μs）和良好共模抑制（CMRR=90 dB）。适合传感器前端、高阻抗缓冲与低功耗信号处理等应用场合。根据实际电路要求，配合适当的 PCB 布局与去耦措施能显著提升系统性能。