型号:

HSBA8048

品牌:HUASHUO(华朔)
封装:PRPAK5x6-8L
批次:24+
包装:编带
重量:-
其他:
-
HSBA8048 产品实物图片
HSBA8048 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 56W 80V 48A 1个N沟道
库存数量
库存:
2369
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
2.02
3000+
1.94
产品参数
属性参数值
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)80V
连续漏极电流(Id)48A
导通电阻(RDS(on))4.3mΩ@10V,20A
耗散功率(Pd)56W
阈值电压(Vgs(th))1.2V
栅极电荷量(Qg)40nC@10V
输入电容(Ciss)2.86nF@40V
反向传输电容(Crss)38pF@40V
工作温度-55℃~+150℃

HSBA8048 产品概述

一、产品简介

HSBA8048 是华朔(HUASHUO)推出的一款高性能 N 沟道功率 MOSFET,额定漏源耐压 Vdss=80V,连续漏极电流 Id=48A,适合中高压功率开关场合。器件导通电阻极低(RDS(on)=4.3mΩ @ Vgs=10V, Id=20A),开关性能与热耗散能力兼顾,常用于开关电源、直流-直流转换、电机驱动及功率管理电路。

二、主要特性

  • 漏源电压:80V(耐压裕量充足,适用于汽车电子与工业电源)
  • 连续漏极电流:48A(适合中大电流场合)
  • 低导通电阻:4.3mΩ @ Vgs=10V(降低导通损耗,提高效率)
  • 总栅极电荷 Qg=40nC @10V(栅极驱动需求适中)
  • 输入电容 Ciss=2.86nF @40V,反向传输电容 Crss=38pF @40V
  • 功耗耗散 Pd=56W,工作结温范围 -55℃ 至 +150℃

三、电气参数概览

  • Vdss = 80V,适配高于逻辑电平的功率域
  • RDS(on) 标称值在 10V 栅压下测试(20A),实际应用时应按工作电流、结温与驱动电压进行热平衡计算
  • Qg 与 Ciss 指示器件在高频开关时的驱动能量与开关损耗:Qg=40nC 意味着在高频应用需考虑较大的驱动能量与驱动器峰值电流

四、热性能与封装

HSBA8048 使用 PRPAK5x6-8L 封装,适合表面贴装并具备较好的导热路径。最大耗散功率 Pd=56W(需在额定测试条件与良好散热环境下),实际系统应考虑:

  • 使用大面积 PCB 散热铜箔或散热垫
  • 必要时配合外置散热片或强制风冷
  • 在高电流工况下对结温进行 derating,保证长期可靠性

五、典型应用

  • 同步降压/升压 DC-DC 转换器
  • 电机驱动与电子开关
  • 负载开关与功率管理电路
  • 汽车与工业电源系统(需结合电磁兼容和浪涌保护设计)

六、选型与使用建议

  • 驱动电压:为获得标称低 RDS(on),建议栅压 Vgs=10V;若仅能提供逻辑电平(5V/3.3V),需确认 RDS(on) 的上升对损耗的影响
  • 开关设计:Qg=40nC 表示在高频切换时驱动损耗显著,应选择足够驱动能力的栅极驱动器并优化开关速度以平衡开关损耗与电磁干扰
  • 热管理:根据实际 PCB 布局与散热条件计算结温,避免长期在 Pd 极限下工作

七、注意事项与可靠性建议

  • 做好 ESD 防护与焊接工艺控制,遵循器件最大结温与回流焊温度曲线
  • 在含有较大感性负载或高浪涌场合,增加钳位和缓冲网络以防止过压或寄生振荡
  • 推荐在样机阶段进行热成像与电流/温度应力测试,验证在目标工况下的安全裕度

总结:HSBA8048 以 80V、48A 与低导通电阻为核心优势,适合要求高效率与中高电流能力的功率开关应用。合理的驱动与散热设计能发挥其最佳性能并确保长期可靠运行。