PJA3406_R1_00001 产品概述

一、产品简介

PJA3406_R1_00001 是强茂（PANJIT）推出的一款 N 沟道场效应管（MOSFET），集成于小型 SOT-23 封装，适用于低电压开关与功率管理场景。器件额定漏源电压为 30V，具备较低的导通电阻与适中的门极电荷，兼顾开关性能与驱动能耗，便于在空间受限的板级电源与驱动电路中应用。

二、主要参数

• 类型：N 沟道 MOSFET（单只）
• 漏源耐压 Vdss：30V
• 连续漏极电流 Id：4.4A（器件极限，受封装散热限制）
• 导通电阻 RDS(on)：70mΩ @ Vgs=4.5V（测试电流 2.8A）
• 最大耗散功率 Pd：1.25W（SOT-23 封装，环境依赖）
• 阈值电压 Vgs(th)：约 1V
• 总门极电荷 Qg：5.8nC @ Vgs=15V（驱动能耗参考）
• 输入电容 Ciss：235pF @ 15V
• 反向传输电容 Crss：24pF @ 15V
• 工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
• 封装：SOT-23

三、关键特性

• 低压耐受：30V 额定适合常见的 12V/24V 系统边缘保护与低压开关。
• 低导通阻抗：70mΩ（4.5V 驱动）在中小电流下损耗较低，提升效率。
• 适中门极电荷：Qg=5.8nC，兼顾快速开关与较低驱动功耗，适用于驱动能力有限的 MCU/驱动芯片。
• 小体积封装：SOT-23 尺寸利于高密度 PCB 布局与成本控制。

四、典型应用场景

• 便携式电源开关与负载开关（电池管理、便携设备）
• 低压 DC-DC 转换器的同步或补偿开关（注意热设计）
• 通用开关管、继电器驱动、负载断开保护
• 信号级负载控制与电平移位场合

五、封装与热管理

SOT-23 封装带来体积与成本优势，但热阻较高。器件 Pd=1.25W 是在良好散热条件下的额定耗散，实际应用时应通过铜箔加大散热区域、采用多层接地/电源平面或并联器件来降低结温。对连续大电流负载推荐进行热仿真与实测验证。

六、使用建议与可靠性

• 驱动电压：若需最低 RDS(on)，推荐 Vgs=4.5V 或更高驱动电压，但须参考系统能承受的门极电压。
• 开关速度：Ciss 与 Crss 决定了开关性能与米勒效应，设计栅极阻抗与驱动能力时应兼顾电磁干扰（EMI）与切换损耗。
• 长期可靠性：工作温度范围宽，适合工业级场合；但请避免长期在最大结温附近工作以延长寿命。
• ESD 与焊接：遵循常规静电敏感器件（ESD）防护与回流焊曲线规范。

七、采购与注意事项

PJA3406_R1_00001 以 PANJIT 强茂品牌供应，SOT-23 小封装适合批量贴片生产。采购时请确认完整型号与批次信息，索取完整数据手册与封装图，必要时在目标应用条件下进行样片评估与热测，以确保性能符合系统要求。