型号:

GD25Q256EWIGR

品牌:Gigadevice(北京兆易创新)
封装:WSON-8-EP(5x6)
批次:25+
包装:未知
重量:-
其他:
-
GD25Q256EWIGR 产品实物图片
GD25Q256EWIGR 一小时发货
描述:NOR闪存
库存数量
库存:
1
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
10.52
3000+
10.32
产品参数
属性参数值
接口类型SPI
存储容量256Mbit
时钟频率(fc)133MHz
工作电压2.7V~3.6V
工作温度-40℃~+85℃

GD25Q256EWIGR 产品概述

一、产品简介

GD25Q256EWIGR 是北京兆易创新(Gigadevice)推出的一款 256Mbit NOR 闪存,采用标准 SPI 接口并兼容 Quad-SPI 高速读写,最高时钟频率可达 133MHz。器件工作电压范围 2.7V 至 3.6V,工作温度范围 -40℃ 至 +85℃,适用于工业级与消费类产品的代码与数据存储需求。封装为 WSON-8-EP(5×6),体积小、热性能良好,便于自动化贴装。

二、主要特性

  • 存储容量:256Mbit(32MB)
  • 接口类型:标准 SPI / Quad-SPI(高速读取模式)
  • 时钟频率:最高可支持 133MHz
  • 工作电压:2.7V ~ 3.6V,兼容 3.3V 系统
  • 工作温度:-40℃ ~ +85℃
  • NOR 闪存架构,支持随机读取与可执行存储(XIP)应用
  • 封装:WSON-8-EP(5×6),适合热沉焊盘设计

三、电气与可靠性要点

GD25Q256EWIGR 在 2.7V–3.6V 范围内稳定工作,但在系统设计中应保证电源纹波和上电顺序符合器件推荐值。关于擦写/写入寿命、数据保持时间与电气时序等关键参数,请以厂商数据手册为准;典型工业级操作下具备良好的可靠性与耐用性。

四、封装与引脚注意

WSON-8-EP 封装带底部散热焊盘(EP),建议在 PCB 设计中提供良好接地与焊盘连通以提升散热和机械可靠性。高频 SPI 信号线应走短线并采用阻抗控制,必要时加入终端和去耦电容以降低反射与噪声。

五、系统集成与设计建议

  • 电源去耦:靠近 VCC 引脚放置 0.1uF 与 1uF 去耦电容,降低瞬态干扰。
  • 复位/保护:合理使用 WP#/HOLD#(或厂商对应管脚)以避免误写或通信中断。
  • 时序匹配:高速模式(133MHz)下注意主控与闪存的时序裕量,必要时降低频率以保证稳定性。
  • PCB 布局:SPI 信号与时钟线尽量短且成对/层间配合走线,避免与高速数字信号平行走线造成串扰。
  • 固件适配:启用合适的读模式(单/双/四线)和指令集以发挥性能,烧录/调试时参考厂商提供的命令时序。

六、典型应用

适用于 MCU/SoC 的固件存储、启动代码(boot)、嵌入式操作系统分区、工业控制器、消费类电子设备、网络通信设备、测量仪器及需要可靠非易失性代码或数据存储的场景。

如需详细引脚定义、电气特性曲线与时序参数,请参阅 Gigadevice 官方数据手册和应用说明,以确保在具体项目中获得最佳性能与可靠性。