CMD25P15 产品概述

一、产品简介

CMD25P15 是广东场效应半导体（Cmos）推出的一款高压 P 沟道功率 MOSFET，单片封装（TO-252/DPAK）。器件最大耐压可达 150V，连续漏极电流 25A，适用于需要在较高电压等级上实现 P 沟道高侧开关、反接保护和功率切换的应用场景。器件额定耗散功率为 90W（实际散热能力依赖于 PCB 及散热设计）。

二、主要性能指标

• 类型：P 沟道 MOSFET（单只）
• 最大漏源电压 Vdss：150 V
• 连续漏极电流 Id：25 A
• 导通电阻 RDS(on)：150 mΩ @ Vgs = 10 V，Id = 12.5 A（P 沟道器件时应理解为 Vgs = -10 V）
• 耗散功率 Pd：90 W（依据封装和散热条件）
• 阈值电压 Vgs(th)：约 4 V（@ 250 μA，P 沟道器件阈值为负值，表示 Vgs ≈ -4 V）
• 总栅极电荷 Qg：≈ 60 nC @ 10 V（驱动栅极时需考虑开关损耗）
• 输入电容 Ciss：4.2 nF
• 输出电容 Coss：120 pF
• 反向传输电容 Crss：110 pF
• 工作温度范围：-55 ℃ ~ +150 ℃
• 封装：TO-252（DPAK）

三、产品特点与优势

• 高耐压：150V 设计适合高压轨系统，例如汽车电源、工业电源及通信设备的高压侧保护和开关。
• 合理的导通电阻：在 Vgs = -10V 时 RDS(on) 为 150mΩ，在中等电流工况下能保持较低的导通损耗。
• 封装紧凑：TO-252 适合表面贴装且便于工业化生产与热沉布局。
• 宽温度范围：-55℃ 到 +150℃，满足恶劣环境下的可靠性需求。

四、典型应用场景

• 高压侧开关与断路保护（正向/反向保护）
• 工业电源与配电系统中的高压控制回路
• 逆变器和电机驱动的保护电路
• 通信与电信设备的高压开关单元

五、使用建议与注意事项

• 栅极驱动：P 沟道器件在导通时需施加负于源极的栅压（例如 Vgs = -10V 对应文档给定的测试条件），栅极电荷较大（Qg≈60nC），选择合适的驱动器以保证开关速度同时控制驱动损耗。
• 开关与热管理：虽然器件 Pd 标称 90W，但这依赖于良好的 PCB 散热（大铜面积、通过孔或外接散热片）。在持续大电流工作时务必评估结温并保证不超过最大结温限制。
• 反向恢复与吸收：器件的 Coss/Crss 和体二极管性能会影响开关期间的能量回馈，必要时在电路中加入缓冲/吸收电路（如 RC 吸收或 TVS）以抑制过压和振铃。
• 布局建议：短且粗的走线以减少寄生电感；在栅极旁放置阻尼电阻以控制 dv/dt；在源极附近放置测量电阻或温升监测点以便热管理。

六、总结

CMD25P15 是一款面向高压应用的 P 沟道功率 MOSFET，结合 150V 耐压、25A 连续电流能力及 TO-252 封装，适合用于高压高侧开关和保护场合。设计时需重点考虑栅极驱动能量、开关损耗与散热布局，以发挥器件最佳性能并保证可靠性。若需进一步的特性曲线、封装尺寸或等效电路参数，可根据具体应用向厂商索取完整的数据手册。