型号:

UPZ1608E221-2R2TF

品牌:Sunlord(顺络)
封装:0603
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
-
UPZ1608E221-2R2TF 产品实物图片
UPZ1608E221-2R2TF 一小时发货
描述:磁珠 220Ω@100MHz 50mΩ ±25% 2.2A
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商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.0635
4000+
0.0504
产品参数
属性参数值
阻抗@频率220Ω@100MHz
误差±25%
直流电阻(DCR)50mΩ
额定电流2.2A
通道数1
工作温度-55℃~+125℃

Sunlord UPZ1608E221-2R2TF 片式磁珠产品概述

UPZ1608E221-2R2TF是顺络电子(Sunlord)推出的0603封装高频滤波磁珠,针对电子设备的电磁干扰(EMI)抑制需求设计,兼具低直流损耗、大额定电流、宽温适应性三大核心优势,广泛适配消费电子、汽车电子、工业控制等多领域场景。

一、产品定位与核心应用场景

该磁珠的定位是中功率高频干扰抑制器件,重点解决100MHz频段的电磁噪声问题,典型应用场景包括:

  1. 消费电子:智能手机快充电路(18W/27W快充电流匹配)、平板电脑电源滤波、蓝牙耳机射频干扰抑制;
  2. 汽车电子:车载中控CAN总线滤波、仪表盘电源噪声过滤、车充快充模块(宽温适配发动机舱高温环境);
  3. 工业控制:PLC输入/输出端滤波、伺服驱动器电源抗干扰、户外传感器信号降噪;
  4. 通信设备:路由器5GHz频段干扰衰减、交换机电源模块滤波、基站射频电路噪声抑制。

二、核心性能参数解析

磁珠的性能核心在于高频阻抗与直流损耗的平衡,本产品关键参数的实际意义如下:

1. 高频阻抗特性

  • 参数:220Ω@100MHz,误差±25%
  • 解析:100MHz是开关电源、射频电路的常见干扰频段,220Ω的阻抗可有效衰减该频段的共模/差模噪声;±25%的误差在工业级应用中具备可接受的一致性,无需额外匹配校准。

2. 低直流电阻(DCR)

  • 参数:50mΩ
  • 解析:直流损耗极低,2.2A连续电流下的功率损耗仅约0.24W(P=I²R),发热可控,不影响电路效率,尤其适合快充、大功率电源等对损耗敏感的场景。

3. 额定电流与热稳定性

  • 参数:2.2A(最大连续电流)
  • 解析:满足多数中功率电路需求(如手机快充电流通常1-3A);宽温环境下(-55℃~125℃)需参考降额曲线(125℃时降额至约1.8A),确保长期可靠性。

4. 宽工作温度范围

  • 参数:-55℃~+125℃
  • 解析:覆盖工业级与车规级环境(如北方户外设备低温、汽车发动机舱高温),经过顺络可靠性测试(温度循环≥1000次、高温存储≥1000h),性能衰减率≤5%。

三、封装与可靠性设计

1. 小体积高密度封装

  • 封装:0603(英制,对应公制1608),尺寸1.6mm×0.8mm×0.5mm
  • 优势:适配高密度PCB设计(如智能手机主板、小型路由器),节省空间的同时不影响滤波效果。

2. 环保与可靠性测试

  • 无铅设计:符合RoHS、REACH标准,满足国际环保要求;
  • 焊接可靠性:支持回流焊(峰值温度260±5℃,时间≤10s),手工焊接需控制温度(≤350℃,时间≤3s),避免开裂或性能衰减。

四、选型与使用注意事项

  1. 电流匹配:实际工作电流需≤额定电流(2.2A),高温环境下需按降额曲线调整(参考顺络 datasheet);
  2. 干扰频段匹配:本产品针对100MHz优化,若干扰频段偏离(如50MHz或200MHz),需确认阻抗特性(可参考顺络阻抗曲线);
  3. 布局优化:磁珠应靠近干扰源(如开关电源)或敏感电路(如MCU),减少干扰耦合路径;
  4. 焊接工艺:避免使用烙铁直接焊接磁珠本体,优先采用回流焊或热风枪辅助焊接。

五、总结

UPZ1608E221-2R2TF凭借小体积、低损耗、大电流、宽温适配的综合优势,成为高频EMI抑制场景的高性价比选择。其参数匹配性覆盖多领域需求,可靠性经过车规/工业级测试验证,是电子设备设计中解决电磁干扰问题的可靠方案。