型号:

ESDBL3V3Y1

品牌:CJ(江苏长电/长晶)
封装:WBFBP-02C-A
批次:25+
包装:编带
重量:0.009g
其他:
-
ESDBL3V3Y1 产品实物图片
ESDBL3V3Y1 一小时发货
描述:TVS二极管 ESDBL3V3Y1 X
库存数量
库存:
8890
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:10000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.05166
3000+
0.04095
产品参数
属性参数值
极性双向
反向截止电压(Vrwm)3.3V
钳位电压10V
峰值脉冲电流(Ipp)7A@8/20us
峰值脉冲功率(Ppp)70W@8/20us
击穿电压6V
反向电流(Ir)400nA
通道数单路
工作温度-55℃~+150℃
防护等级IEC 61000-4-2
类型ESD
Cj-结电容15pF

ESDBL3V3Y1 X — TVS二极管产品概述

一、产品简介

ESDBL3V3Y1 X 为 CJ(江苏长电/长晶)出品的单路双向瞬态电压抑制二极管(TVS),专为3.3V信号线及接口的ESD保护而设计。器件采用WBFBP-02C-A封装,集成低电容和高抑制能力,适用于高速数据线和敏感管脚的瞬态过压防护。

二、主要电气参数

  • 工作极性:双向(Bidirectional),适合差分或双向信号线保护。
  • 反向截止电压 Vrwm:3.3V(标称工作电压)。
  • 击穿电压 Vbr:6V(典型)。
  • 钳位电压 Vclamp:10V(8/20µs,峰值钳位)。
  • 峰值脉冲电流 Ipp:7A(8/20µs)。
  • 峰值脉冲功率 Ppp:70W(8/20µs)。
  • 反向漏电流 Ir:400nA(常温,Vrwm下)。
  • 结电容 Cj:15pF,适配高速信号特性。
  • 工作温度范围:-55℃ 至 +150℃。
  • 防护等级:符合 IEC 61000-4-2 ESD 抗扰度要求。

三、特点与优势

  • 低结电容(15pF),对高速接口影响小,适合USB、HDMI、SATA、LVDS等数据线保护。
  • 双向结构无需极性区分,适合交流或差分信号。
  • 钳位电压控制良好(约10V@8/20µs),在短时间内有效限制过电压以保护后端器件。
  • 高峰值脉冲能力(7A/70W),能承受常见静电和浪涌事件。
  • 宽工作温度和低漏电保证在严苛环境下稳定工作。

四、典型应用场景

  • 消费类电子(手机、平板、笔记本外围接口)。
  • 工业与通信设备的接口保护(以太网、串口、CAN)。
  • 汽车电子非高压总线的辅助保护(车载信息娱乐、传感器接口)。
  • 物联网、可穿戴设备等对尺寸与信号完整性敏感的场合。

五、封装与布局建议

  • 封装:WBFBP-02C-A,体积小,便于贴片组装。
  • PCB布线:将器件尽量靠近受保护的接口或连接器放置,缩短引线长度以降低感性阻抗。
  • 接地:为获得最佳放电通路,应确保附近有低阻抗接地回路;必要时在器件附近增加保护地平面。
  • 信号完整性:对于高速差分对,注意配对走线和控制阻抗,避免在保护器件前后产生不必要的串扰或反射。

六、使用注意事项

  • 虽为双向型号,仍需确认系统最大工作电压及钳位容忍度,避免击穿后对下游电路造成持续应力。
  • 焊接与回流应按照厂商推荐工艺执行,避免超温或长时高温影响可靠性。
  • 长期暴露在高温、高湿或强腐蚀环境下,应采取额外封装或涂层保护。
  • 在高能脉冲测试或重复击穿场景中,注意评估器件寿命并预留冗余保护方案。

七、总结

ESDBL3V3Y1 X 以其低电容、双向保护和较高能量吸收能力,适合用于3.3V系统中对信号完整性与ESD抗扰度均有较高要求的场合。合理的PCB布置与接地设计能发挥其最佳保护效果,提升系统抗静电能力与可靠性。若需进一步的典型波形、封装尺寸图或推荐应用电路,可参考供应商数据手册或联系厂家技术支持。