型号:

GRM1555C1HR75CA01D

品牌:muRata(村田)
封装:0402
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
-
GRM1555C1HR75CA01D 产品实物图片
GRM1555C1HR75CA01D 一小时发货
描述:CAP CER 0.75PF 50V C0G/NP0
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最小包:10000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.00768
10000+
0.0057
产品参数
属性参数值
容值0.75pF
额定电压50V
温度系数C0G

GRM1555C1HR75CA01D 产品概述

一、产品简介

GRM1555C1HR75CA01D 是村田(muRata)生产的一款高稳定性多层陶瓷电容(MLCC),标称电容值为 0.75 pF,额定电压 50 V,温度系数为 C0G(亦称 NP0),封装为 0402(常用的微型贴片封装,约 1.0 × 0.5 mm)。该产品定位于对电容温度稳定性、频率特性与低损耗有严格要求的应用场景,常见于射频、滤波、振荡器和高精度计时电路中。

二、主要特性

  • 容值:0.75 pF(适用于高频和精密匹配电路中的小值电容需求)
  • 额定电压:50 V,适合中等电压等级的模拟与射频电路
  • 温度系数:C0G / NP0,电容随温度变化非常小,表现出优异的稳定性和线性
  • 封装:0402(约 1.0 × 0.5 mm),适合高密度 PCB 布局
  • 低损耗、低介质吸收、较高 Q 值:适合高频及低噪声电路的耦合、匹配与谐振应用

三、典型应用场景

  • 射频(RF)匹配网络与阻抗调节:0.75 pF 的小容值适用于微调匹配、阻抗变换单元中的并联或串联补偿。
  • 高频滤波与耦合:C0G 特性的低损耗使其在高频滤波器中保持稳定的中心频率与带宽。
  • 振荡器和时基电路:用作反馈或定时元件,确保温度变化下频率漂移极小。
  • 精密模拟电路:电荷泵、采样保持、ADC 前端的补偿与微调元件。
  • 高频开关电源的回路补偿与小信号旁路:在对寄生影响敏感的场合使用效果明显。

四、封装与机械特性

  • 0402 封装特征:体积小、适合高密度贴装;适用于便携式与空间受限的电子设备。
  • 焊接与可靠性:陶瓷基片需避免过度弯曲,应在 PCB 设计与装配流程中注意应力分布。推荐使用与制造商建议一致的焊接工艺与回流曲线以保证可靠性。
  • 储存与搬运:避免潮湿、强振动和机械冲击,防止元件裂纹或焊盘损伤。

五、电性能与稳定性说明

C0G / NP0 是陶瓷电容中性能最稳定的一类介电材料,具有以下电学优势:

  • 温度稳定性优异:在典型工作温度范围内电容值基本不变,适合温度敏感应用(常见适用范围为 -55 °C 至 +125 °C,具体范围请以厂商数据表为准)。
  • 低介质损耗与高 Q 值:在射频与高频应用中能有效降低能量损耗与相位误差。
  • 直流偏置效应极小:相较于高介电常数陶瓷,C0G 对直流偏置的依赖性很低,电容值在加电后保持稳定。

注意:尽管 C0G 电容的直流偏置效应小,但在极高电场或高频环境下仍应评估实际电路工作点对有效电容的影响。

六、装配与使用建议

  • 焊接工艺:遵循村田推荐的回流曲线及封装防潮等级(如有)。避免重复高温回流造成热应力累积。
  • PCB 布局:为减小寄生电感与电阻,应采用短走线、靠近信号源或地的布局方式;在射频应用中注意地平面连续性与回流路径。
  • 机械应力控制:在元件两端不要布置过窄或高差大的焊盘走线,防止焊接冷却后产生应力导致裂纹。
  • ESD 与过压保护:尽管为陶瓷电容,仍需在装配和测试时采取防静电措施,并在设计中对可能的过压事件做好保护。

七、选型与注意事项

  • 若电路对温度稳定性与线性度要求极高,C0G/NP0 是优先选择。
  • 在要求极高 Q 值或特定频率响应时,建议结合电路仿真或实际测试评估该容值的自谐频率(SRF)、等效串联电阻(ESR)等参数。
  • 对于更高容值或更高电压的需求,应参考村田完整系列或联系供应商获取对应型号。
  • 最终选型前,请务必参考村田官方数据手册以获取完整的机械尺寸、容差、温度特性、最大工作温度、可靠性认证和回流焊规范等详细信息。

八、总结

GRM1555C1HR75CA01D(muRata)以其 0.75 pF 的小容值、50 V 的额定电压和 C0G/NP0 的优异温度稳定性,适合用于对温度漂移、频率稳定性和低损耗有较高要求的高频与精密模拟电路。在设计和生产中请按制造商的规格与建议进行 PCB 布局与焊接控制,必要时通过实测验证在目标工作点下的性能表现。若需完整电气参数和封装尺寸,请参照村田官方数据资料或向授权代理商索取。