IRFR7546TR（UMW）产品概述

一、产品定位与概述

IRFR7546TR 是友台半导体（UMW）推出的一款单片 N 沟道功率 MOSFET，额定漏源电压 60V，适用于中等电压、较大电流的开关和传导场合。器件采用 TO-252（DPAK）封装，针对表贴功率管理与开关应用进行了热与电性能的折衷设计。

二、主要电气参数（关键值）

• 类型：N 沟道功率 MOSFET
• Vdss（耐压）：60V
• 连续漏极电流 Id：71A（注：实际连续能力受散热条件限制）
• 导通电阻 RDS(on)：6.6 mΩ @ Vgs = 10V
• 阈值电压 Vgs(th)：3.7V @ 100 μA（开启阈值偏高）
• 总栅极电荷 Qg：58 nC @ 10V
• 输入电容 Ciss：3.02 nF；输出电容 Coss：280 pF；反向传输电容 Crss：180 pF
• 功耗 Pd：99 W（器件极限，需结合散热设计）
• 工作结温：-55 ℃ ~ +175 ℃
• 封装：TO-252（DPAK）

三、特性解读与设计要点

• 低导通电阻：6.6 mΩ 在 10V 栅压下表现出较低导通损耗，适合高电流导通场景。示例：在 50A 时的导通损耗约为 P = I^2·R ≈ 50^2·0.0066 ≈ 16.5 W，需良好散热以维持结温。
• 栅极驱动要求：阈值 3.7V 表明器件并非严格的“逻辑电平”型，若要求低 RDS(on) 应采用 10–12V 的栅极驱动电压。栅电荷 58 nC 属中等偏高水平，快速开关时需要较大峰值驱动电流（举例：若期望 50 ns 完成栅充电，Ig ≈ Qg/dt ≈ 58nC/50ns ≈ 1.16A）。
• 开关损耗与寄生电容：Ciss、Coss 和 Crss 决定了开关行为和反向恢复特性。Crss=180 pF 对开关过渡影响明显，需合理控制 dv/dt 与回路布局以避免振铃与过压。

四、典型应用场景

• 同步整流与降压（Buck）转换器的低侧/高侧开关（配合合适驱动）
• DC-DC 电源、汽车电子辅助电源与车载开关（60V 耐压适配较宽余）
• 电机驱动、功率开关与中高电流负载开断场合
• 热插拔、电源管理与负载开关（注意阈值与导通损耗匹配）

五、布局与散热建议

• 尽量缩短漏源回流电流路径，使用宽铜箔和充足的散热焊盘；TO-252 底部散热焊盘与铜箔面积直接影响连续电流能力。
• 为减少开关损耗与电磁干扰，栅极附近放置小阻值阻尼器（典型 2–10Ω）并靠近器件焊盘布置驱动回路。
• 若在大电流或高占空比下使用，需在 PCB 背面增加散热铜或结合外部散热片以降低结-环境热阻。

六、选型与使用注意

• 若系统只能提供 5V 或更低的栅压，RDS(on) 将显著增大，应考虑逻辑电平 MOSFET 或增加专用驱动器。
• 在高开关频率应用中，Qg 较大将增加驱动损耗与功耗，需评估驱动器功率与系统效率。
• 器件的 Id 与 Pd 数据均依赖具体测试条件（散热、封装环境），实际设计时以热仿真和评估为准。

总结：IRFR7546TR 在 60V 额定、极低 RDS(on) 与中等栅电荷之间提供了平衡，适合需要低导通损耗且能提供合适栅驱动与良好散热的中高电流开关场合。选型时重点关注驱动电压、散热能力与开关频率对损耗的影响。