型号:

0805W8F8202T5E

品牌:UNI-ROYAL(厚声)
封装:0805
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
-
0805W8F8202T5E 产品实物图片
0805W8F8202T5E 一小时发货
描述:贴片电阻 0805 82KΩ ±1%
库存数量
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最小包:5000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.00652
5000+
0.00483
产品参数
属性参数值
电阻类型厚膜电阻
阻值82kΩ
精度±1%
功率125mW
工作电压150V
温度系数±100ppm/℃
工作温度-55℃~+155℃

0805W8F8202T5E 产品概述

一、产品概要

0805W8F8202T5E 是 UNI-ROYAL(厚声)系列的一款贴片厚膜电阻,封装为0805(公制 2012),阻值 82 kΩ,精度 ±1%,额定功率 125 mW,额定工作电压 150 V,温度系数(TCR)±100 ppm/℃,工作温度范围 -55℃ 至 +155℃。该型号针对高精度、高可靠性表贴应用设计,适合在对尺寸、稳定性与成本有平衡要求的电子系统中使用。

二、主要参数与含义

  • 阻值:82 kΩ(标称值)
  • 精度:±1%(初始误差小,适用于精密分压、基准偏置等电路)
  • 额定功率:125 mW(在规定散热条件下的最大持续功率)
  • 额定工作电压:150 V(厂商给出的最大允许工作电压)
  • 温度系数:±100 ppm/℃(温度变化时阻值的变化速率)
  • 工作温度:-55℃ ~ +155℃(适应宽温环境)
  • 封装:0805(2.0 mm × 1.25 mm,常见贴片封装)
  • 品牌:UNI-ROYAL(厚声)

三、电气性能与使用注意(含数值计算)

  • 功率与电压关系:电阻上的功率与电压满足 P = V^2 / R。以 82 kΩ、125 mW 为例,允许的连续最大电压 V_max = sqrt(P·R) ≈ sqrt(0.125·82,000) ≈ 101 V。
    虽然器件标称工作电压为 150 V,但在设计时应以功率限制为最终判断依据:当跨阻器件的电压接近或超过约 101 V 时,将导致超过额定功率而引起过热或失效。150 V 可视为结构或材料允许的最高耐受电压(短时或特殊条件下),但不代表在此电压下可持续耗散额定功率。
  • 温度稳定性:TCR ±100 ppm/℃ 表示温度每变化 1℃,阻值变化约 0.01%。例如从 25℃ 上升至 125℃(ΔT = 100℃),阻值变化约 1%(100 ppm/℃ × 100℃ = 10,000 ppm = 1%),对 ±1% 精度的电阻来说,温度引起的漂移在较大温差下与公差量级相当,应在精密场合加以考虑或做温度补偿。
  • 噪声与稳定性:厚膜电阻相对于金属膜电阻噪声略高,但在常见数字与模拟应用(偏置、上拉/下拉、滤波网络等)中属于可接受范围。长期特性依赖于使用环境与功率应力。

四、典型应用场景

  • 高阻值偏置、分压网络:在放大器偏置、ADC 采样电路的高阻源输入中常用。
  • 滤波与时间常数电路:与电容器配合用于 RC 滤波、延时电路。
  • 消费类与工业电子:仪表、控制器、传感器接口、便携设备等,尤其适合空间受限的 PCB 设计。
  • 低功耗/高阻抗测量系统:需注意热噪与温度漂移的影响,适合用于不承受大电流的场合。

五、设计与热管理建议

  • 功率余量:为延长寿命并提高可靠性,建议在常温工作时不长期接近额定功率,典型设计中建议采用 50%~70% 的额定功率作为长期工作点,特别在高环境温度下应适当降额。
  • 热阻与布局:0805 封装体积小,散热受限。通过增大铜箔面积、放置在散热良好的 PCB 区域或采用热 vias 可改善散热性能。
  • 电压使用:严格按 P = V^2 / R 计算所需电压,避免仅依据额定工作电压而忽略功耗限值。
  • 温漂管理:在温度敏感应用中,可选择更低 TCR 的器件或采用温度补偿电路。

六、封装、焊接与储存

  • 供货形式:常见为卷带式(Tape & Reel),便于 SMT 贴装生产线使用。
  • 焊接兼容性:适用于回流焊(含无铅回流)、红外与风焊等常规 SMT 工艺;建议遵循 IPC/JEDEC 标准的回流曲线并避免过长的高温停留以减小电阻漂移或热损伤。
  • 储存与搬运:避免大量机械应力与PCB弯曲,湿敏等级视具体包装而定,长期储存建议防潮。

七、小结

0805W8F8202T5E(82 kΩ、±1%、125 mW、0805)以其小型化、高精度和宽温工作能力,适合多种通用与高密度电子应用。设计时应特别关注功率与电压的换算关系以及温漂影响,通过合理的电气与热设计可以获得稳定可靠的长期性能。如需在特殊高电压或高精度场合使用,建议与供应商确认额定工作条件与可靠性测试数据,或在关键电路中进行样机验证。