型号:

2SCR375PT100R

品牌:ROHM(罗姆)
封装:SOT-89
批次:25+
包装:-
重量:-
其他:
-
2SCR375PT100R 产品实物图片
2SCR375PT100R 一小时发货
描述:三极管(BJT) 2W 120V 1.5A NPN
库存数量
库存:
1000
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:1000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
2.2
1000+
2.1
产品参数
属性参数值
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)1.5A
集射极击穿电压(Vceo)120V
耗散功率(Pd)2W
直流电流增益(hFE)120@200mA,5V
特征频率(fT)200MHz
集电极截止电流(Icbo)1uA
集射极饱和电压(VCE(sat))300mV@800mA,80mA
工作温度-55℃~+150℃
射基极击穿电压(Vebo)6V

2SCR375PT100R 产品概述

一、主要参数

2SCR375PT100R 是 ROHM(罗姆)出品的一款 NPN 小功率通用三极管,适用于开关与放大场合。主要电气参数如下:集电极电流 Ic = 1.5A,集—射极击穿电压 Vceo = 120V,最大耗散功率 Pd = 2W(封装 SOT-89),直流电流增益 hFE ≈ 120(测量条件 Ic = 200mA、VCE = 5V),特征频率 fT = 200MHz,集电极截止电流 Icbo ≈ 1μA,集—射极饱和电压 VCE(sat) ≈ 300mV(测试条件 Ic = 800mA、Ib = 80mA),射—基极击穿电压 Vebo = 6V,工作温度范围 -55℃ ~ +150℃。

二、特点与优势

  • 高电压承受力:Vceo = 120V,适合中高压开关与驱动应用。
  • 良好电流能力:最大 Ic 1.5A,配合低饱和压,在开关时损耗较低。
  • 高频特性优良:fT = 200MHz,利于高速开关与小信号放大器设计。
  • 小型封装与功率平衡:SOT-89 兼顾体积与散热,Pd = 2W 适用于中等功率密度电路板布局。
  • 低漏电与稳定增益:Icbo ≈ 1μA、hFE 在中电流区保持较好一致性,便于偏置设计。

三、典型应用

  • 开关驱动:低压驱动电路、继电器/小型电磁阀驱动、负载开关。
  • 电源与整流:初级或次级侧开关、线性稳压器的误差放大与限流电路。
  • 放大器:小信号放大、前置放大器或射频前端的低功耗段(受限于封装散热)。
  • 通用应用:单片机外设驱动、保护电路、低功耗开关矩阵等。

四、封装与热管理

SOT-89 提供紧凑的 PCB 布局优势,但散热受限。建议在 PCB 上为集电极/散热引脚设计较大铜箔与散热过孔,必要时与地或散热层连接以提高热阻性能。在 25℃ 环境下 Pd = 2W 为额定耗散,实际使用需按环境温度做线性降额,避免长期在高温高功率条件下工作。

五、设计与使用建议

  • 在开关场合合理配置基极限流电阻与驱动电流,保证饱和时 Ib 与 Ic 的比值满足数据条件(例:800mA 情况下 Ib≈80mA 取得 300mV VCE(sat))。
  • 对于需高线性度的放大电路,优先在中低电流区(如数十至数百毫安)使用,以发挥 hFE ≈ 120 的增益优势。
  • PCB 布线应尽量缩短功率回路,减小寄生电感与电阻,必要时做地平面分割以降低噪声与自举耦合。
  • 开关频率较高时注意功耗分布与瞬态应力,配合合适的缓冲与斜率控制以延长器件寿命。

六、可靠性与注意事项

遵循 ROHM 的焊接与回流曲线规范以避免热应力损伤;装配与维修时注意静电防护(ESD)。射极—基极击穿 Vebo = 6V,基极偏置时需避免过压。对于关键应用建议参考原厂完整数据手册及 SOA(安全工作区)曲线,进行热仿真与寿命评估,以确保长期稳定可靠运行。