MS8N90ICT0 产品概述

一、产品简介

MS8N90ICT0 是 MASPOWER（麦思浦）出品的单个 N 沟道功率 MOSFET，额定漏源电压高达 900V，适用于高压开关应用。器件采用常见的 TO-220 封装，便于散热和板端安装，适合需要高耐压与简便安装的电源设计。

二、主要性能特点

• 漏源电压 Vdss：900V，适配离线电源、高压升压及脉冲型应用。
• 连续漏极电流 Id：8A（需按封装散热条件考虑），满足中等电流需求。
• 导通电阻 RDS(on)：900mΩ @ Vgs = 10V，导通损耗在高压低电流场合可接受。
• 总耗散功率 Pd：178W（典型热阻与散热条件相关），建议搭配散热片或良好 PCB 散热设计。
• 栅极阈值 Vgs(th)：4.5V @ 250µA，表明器件需要较高门极驱动电压以保证低 RDS(on)。
• 栅极电荷 Qg：18.4nC @ 10V，驱动能量中等，影响开关损耗与驱动器选型。
• 输入/输出/反向传输电容：Ciss = 687pF、Coss = 67pF、Crss = 12pF，体现开关速度与电压应力下的能量吸收特性。
• 工作温度范围：-55℃ ~ +150℃，适应宽温区工作环境。

三、典型应用

适用于开关电源（离线开关、反激/正激电源）、功率因数校正（PFC）前端、LED 驱动、高压电源模块、工业电源与保护电路等需要高耐压且中等电流的场景。

四、工程使用建议

• 栅极驱动：为达到标称 RDS(on)，栅极驱动应提供 10V 峰值，且考虑 18.4nC 的 Qg，需选用合适驱动能力的驱动器或栅极缓冲。
• 散热与 SOA：TO-220 提供良好散热接口，但 Pd 与实际可用功耗受散热片和 PCB 布局影响，设计时请参考器件热阻与稳态/脉冲损耗计算。
• 保护与布局：由于高压场合易出现尖峰，应在开关节点使用 RC/TVS 抑制，并缩短高 di/dt 回路路径，减小 EMI 和应力。
• 开关损耗：Coss 与 Crss 决定能量回收与电压应力，快开快关会增加损耗与电磁干扰，建议在系统级评估开关频率与效率折衷。

五、包装与可靠性

单只 TO-220 封装便于维修与换装，适合样机验证与中小批量生产。工作温度范围广，适应恶劣工业环境。最终应用前建议按实际工作点进行电热仿真与实验验证。

如需完整数据手册（包含最大额定值、脉冲特性、热阻曲线及典型应用电路），建议联系 MASPOWER 获取官方 datasheet 以便准确设计与可靠性评估。