型号:

NUP2105LT1G-N

品牌:BORN(伯恩半导体)
封装:SOT-23
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
-
NUP2105LT1G-N 产品实物图片
NUP2105LT1G-N 一小时发货
描述:TVS二极管 NUP2105LT1G-N
库存数量
库存:
2220
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.214
3000+
0.189
产品参数
属性参数值
极性单向
反向截止电压(Vrwm)24V
钳位电压55V
峰值脉冲电流(Ipp)6A@8/20us
峰值脉冲功率(Ppp)280W@8/20us
击穿电压30V
反向电流(Ir)500nA
防护等级IEC 61000-4-4;IEC 61000-4-5;IEC 61000-4-2
类型ESD
Cj-结电容12pF

NUP2105LT1G-N 产品概述

NUP2105LT1G-N 是 BORN(伯恩半导体)推出的一款单向 TVS(瞬态电压抑制)二极管,封装为 SOT-23,专为保护电子设备的电源线和信号线免受静电放电(ESD)、浪涌(Surge)和雷击瞬态脉冲影响而设计。器件小巧、响应快,适合在工业、通信、消费电子等对瞬态保护有较高要求的场合使用。

一、主要规格一览

  • 极性:单向
  • 反向截止电压(Vrwm):24 V
  • 击穿电压(Vbr):30 V(典型)
  • 钳位电压(Vc):55 V(Ipp = 6 A @ 8/20 µs)
  • 峰值脉冲电流(Ipp):6 A @ 8/20 µs
  • 峰值脉冲功率(Ppp):280 W @ 8/20 µs
  • 反向漏电流(Ir):500 nA(在 Vrwm 条件下)
  • 结电容(Cj):12 pF
  • 防护等级:符合 IEC 61000-4-2(ESD)、IEC 61000-4-4(EFT)、IEC 61000-4-5(Surge)
  • 封装:SOT-23

二、器件特点与优势

  • 响应速度快:对静电和短时浪涌瞬态响应迅速,能在电压超限时迅速钳位,保护下游器件。
  • 能量吸收能力强:280 W(8/20µs)峰值功率、6 A 峰值脉冲电流,可应对典型系统级浪涌事件。
  • 低漏电流:Vrwm 下 Ir 仅 500 nA,有利于低功耗系统和精密模拟电路。
  • 中等结电容:12 pF 使其在多数低至中速信号线(如电源、UART、CAN 等)应用中不会显著影响信号完整性,但在超高速差分信号(例如 USB3.0/PCIe)上需谨慎评估。
  • SOT-23 小型封装:便于表面贴装和自动化生产,适用于空间受限的 PCB 布局。

三、典型应用场景

  • 工业与楼宇自动化设备的 24 V 电源轨过压保护
  • 通信设备、路由器和交换机的输入电源与信号接口保护
  • 消费类电子产品的 I/O 接口、键盘、显示模块等抗静电保护
  • 汽车电子非车规级辅助电路(需结合系统级要求验证)
  • 测控与仪表设备中对浪涌与静电敏感的电路防护

四、布局与使用建议

  • 靠近被保护元件:TVS 应尽量靠近需保护的接口或电源引脚放置,以缩短 PCB 上的寄生电感和电阻路径。
  • 最短导线/走线:保护器件到接地的走线应尽可能短、宽,减小钳位电压上升。
  • 固定良好接地:确保器件的接地(通常 TVS 的阳极接地)有低阻抗的返回路径,必要时配置多孔过孔或接地铜箔。
  • 与限流元件配合:对较大能量冲击,建议与串联限流电阻或熔断元件组合使用,防止单次浪涌超过 TVS 极限。
  • 高速信号注意:Cj = 12 pF,若保护高速差分信号,应评估对信号眼图和带宽的影响,或选择低电容专用保护器件。

五、可靠性与合规

NUP2105LT1G-N 按照 IEC 61000-4-2/4-4/4-5 等电磁兼容标准进行了设计与测试,能满足常见的 ESD、EFT 与浪涌抗扰度要求。SOT-23 封装适合 SMT 流程,但在焊接工艺和回流温度曲线设计时需遵循厂方推荐以保证长期可靠性。

六、选型与注意事项

  • 若系统工作电压接近或高于 24 V,应优先确认 Vrwm 与系统最大工作电压的裕量。
  • 钳位电压 55 V 在冲击时为典型值,若被保护器件对高瞬态电压极其敏感,应考虑并联更低钳位或更大能量吸收能力的方案。
  • 对于非常高速或对容性负载极其敏感的信号线,建议评估 TVS 的结电容影响或选用专用低容 TVS。
  • 在设计原理图与 PCB 时,遵循厂商的数据手册中关于最大脉冲能量、功率曲线与温度依赖性的具体说明。

总结:NUP2105LT1G-N 在 SOT-23 小封装中提供了良好的 ESD 与浪涌防护性能,适用于 24 V 级电源轨与多数中速 I/O 接口的瞬态保护,是一款在工业与消费类电子等领域具有良好性价比的 TVS 器件。若需更详细的温度特性、功率退化曲线或封装尺寸,请参考厂方数据手册。