C2012C0G1H223JT000N 产品概述

一、产品简介

TDK C2012C0G1H223JT000N 是一款高稳定性多层陶瓷贴片电容（MLCC），公制尺寸 2012（国际标准对应 0805），标称电容 22 nF（223），额定电压 50 V，容差 ±5%（J），介质为 C0G（亦称 NP0）。该系列以低损耗、近零温度系数和出色的频率特性著称，适用于对温漂与线性度要求高的电路。

二、主要参数

• 电容量：22 nF（0.022 μF）
• 精度：±5%（J）
• 额定电压：50 V DC
• 介质：C0G / NP0（近零温度系数，典型 ±30 ppm/°C）
• 封装：0805（2012 公制，约 2.0 × 1.25 mm）
• 温度范围：通常 -55°C 至 +125°C（具体以厂家数据表为准）
• 封装形式：贴片卷带（适配自动贴装）

三、性能与特点

• 温度稳定性高：C0G 介质在宽温区间几乎无电容漂移，适合精密滤波与定时电路。
• 低损耗、低介质吸收：在高频下保持良好性能，适用于 RF 与高速信号旁路。
• 低直流偏置效应：相比 X7R 等介质，C0G 电容随偏压几乎不降容。
• 机械与焊接兼容性好：支持无铅回流焊工艺，适合自动化贴装生产。

四、典型应用

• 高频去耦/旁路、基准与采样电路的稳定电容
• 谐振/滤波网络、匹配电路与振荡器
• ADC/DAC 前端、传感器信号链、精密模拟电路
• 通信与射频前端需要稳定参量的场合

五、封装与装配建议

• 贴片距离电源引脚尽量近，焊盘设计要减小回路面积以降低寄生电感。
• 多个并联时可进一步降低 ESR/ESL 与噪声；并联不同封装可覆盖更宽频带。
• 避免在回流焊前后对基板施加过大弯曲或应力，防止陶瓷裂纹。
• 使用符合 JEDEC/IPC 的无铅回流曲线进行回流焊，清洗与助焊剂按工艺规范执行。

六、型号解析（常见含义）

• C2012：封装尺寸（2012 公制 / 0805）
• C0G：介质类型（温度系数低）
• 223：电容值编码（22 nF）
• J：容差 ±5%
• 50 V 与封装尾码通常指额定电压与包装形式（具体以 TDK 数据表为准）

七、选型与注意事项

选用时请核对实际工作环境（频率、温度、偏压与冲击），若电路对电容值随偏压敏感，C0G 为优先选择；若需求更大电容量且允许一定漂移，可考虑 X7R/X5R 等介质。最终以 TDK 官方数据表与可靠性测试结果为准，批量采购时确认包装、出厂检验与库存状态。