C3216X8R1H105KT000N 产品概述

一、产品简介

TDK 型号 C3216X8R1H105KT000N 是一款贴片多层陶瓷电容（MLCC），额定容量 1 µF，公差 ±10%，额定电压 50 V，介质为 X8R，封装为 1206（公制 3216）。该系列针对对体积、耐温性能与成本有综合要求的电源去耦与滤波应用设计，适用于自动贴装与大批量生产。

二、主要规格与性能

• 电容值：1 µF ±10%（典型值于 25°C、无偏压时测定）。
• 额定电压：50 V DC，适用于中低压电源滤波及去耦场合。
• 介质：X8R（工作温度范围 -55°C 至 +125°C，温度稳定性较 Class 2 型介质，随温度会有容值变化，应参考厂商温度曲线）。
• 封装尺寸：1206（3216 公制，典型尺寸 3.2 mm × 1.6 mm），适配常见 PCB 布局。
• 电气特性：低等效串联电阻（ESR）与高自谐频率（SRF），在高频去耦与旁路场合表现优异。
• 封装及供货：可提供贴片带卷（tape & reel），适合 SMT 自动化生产。

三、典型应用场景

• 开关电源输入/输出去耦与稳压器旁路。
• 高频滤波与电源纹波抑制。
• 信号线旁路与电源总线稳压。
• 一般电子设备、电源模组及通信设备中的去耦与耦合应用。

四、选型与使用建议

• 直流偏压影响：X8R MLCC 在施加直流偏压时容值会下降，尤其在高额定电压与小尺寸器件上更明显。设计时应参考厂商的 DC bias 特性曲线，必要时增加额定容量或选用更高电压等级以满足实际有效容量需求。
• 温度与老化：X8R 在宽温范围内稳定性良好，但仍存在温漂与介电老化现象，长期可靠性需求高的场合可考虑 C0G/NP0 等无温漂介质。
• 串联与并联策略：为减小 ESR 和提升有效容值，可并联多个电容；在高频与低频噪声同时存在时，混合不同容值与介质的电容并联效果更好。

五、装配与可靠性注意事项

• 焊接：遵循 TDK 与 IPC 推荐的回流焊温度曲线（无铅回流峰值 ~260°C），避免过长高温暴露以减小热应力。
• 机械应力：MLCC 对基板弯曲与热循环敏感，推荐按照厂商推荐的焊盘设计和贴装工艺，避免落料、清洗或热冲击导致裂纹。
• 存储：防潮包装开封后应在规定时间内使用或进行干燥处理，防止焊接缺陷和可靠性下降。

总结：C3216X8R1H105KT000N 以其 1 µF/50 V 的规格与 X8R 介质，在体积与性能间提供了良好平衡，适合多种电源去耦与滤波应用。设计时重点关注直流偏压、温度特性与装配应力，可有效发挥其低 ESR、高频性能。