C2012X7R1H475KT0A0E 产品概述

一、产品简介

C2012X7R1H475KT0A0E 是 TDK 推出的片式多层陶瓷电容，规格为 0805（等同于 2012 公制），电容值 4.7 μF，容差 ±10%，额定电压 50 V，介质类型 X7R。该器件面向通用去耦、滤波与能量储存场合，兼顾高体积效率与良好的温度稳定性，适用于消费电子、工业及一般功率供应模块的表面贴装应用。

二、主要规格

• 容值：4.7 μF ±10%
• 额定电压：50 V DC
• 介质：X7R（温度范围 -55°C 至 +125°C，按标准在该范围内容量变化限值为 ±15%）
• 封装：0805（2012）表面贴装，尺寸约 2.0 × 1.25 mm，便于自动贴装与回流焊工艺
• 结构：多层陶瓷（MLCC）

三、性能特点

• 体积比容量高：在 0805 尺寸下提供 4.7 μF，节省 PCB 面积。
• 温度稳定性良好：X7R 在 -55°C 至 +125°C 范围内保持相对稳定的电容特性，适合绝大多数通用环境。
• 高频性能优：低等效串联电阻（ESR）与低等效串联电感（ESL），适合高频去耦与瞬态响应要求高的电源环路。
• 需注意 DC Bias 与老化：X7R 类材料在施加直流偏压时容量会下降，且存在随时间缓慢衰减（老化）现象，设计时应参考 TDK 提供的 DC-bias 与老化曲线。

四、典型应用

• 稳压器与 DC-DC 转换器的输入/输出滤波与去耦
• 数字芯片、微控制器及功率 IC 的旁路电容
• 消费电子、通讯设备与工业控制系统的电源滤波
• 需要较大体积比容量且对温度稳定性有中等要求的场合

五、设计与使用建议

• 考虑直流偏压影响：在高工作电压下实际有效电容会降低，关键电源回路请参考厂商 DC-bias 曲线并留有裕度。
• 并联使用：对宽频带去耦，推荐与低容值、低 ESL 的电容并联，以覆盖从高频到低频的滤波需求。
• 回流焊工艺：遵循 JEDEC/IPC 回流规范，峰值温度及曲线应与 PCB 工艺匹配，避免过度机械应力。
• 布局：尽量靠近被去耦器件的电源引脚放置，短且粗的布线可降低寄生阻抗。

六、包装与可靠性

该系列通常提供卷带包装，适用于 SMT 自动化贴装。作为 MLCC，具有固态无源件的高可靠性，但仍需在设计期考虑温度循环、潮湿、振动等环境应力对焊点和器件本体的影响，并遵循 TDK 的存储与回流工艺建议以保证长期稳定性。

如需更详细的电气特性曲线（如频率响应、ESR、DC-bias 曲线和寿命试验数据），建议参考 TDK 官方数据手册或联系当地技术支持以获取完整数据与样片验证资料。