C1608X6S1A475KT000E 产品概述

一 产品简介

TDK C1608X6S1A475KT000E 为贴片多层陶瓷电容（MLCC），基础参数为 4.7µF ±10%，额定电压 10V，温度特性 X6S，封装为 0603（1608 公制）。该型号属于高介电常数的二类陶瓷电容器，适合在体积受限的电路中提供较大的旁路与去耦电容值。

二 主要规格

• 容值：4.7µF（标称）
• 精度：±10%（K）
• 额定电压：10V DC
• 温度特性：X6S（适用温度范围广，适应-55°C 至 +125°C 的应用场景）
• 封装：0603（1608公制）
• 极性：无极性（双向）
• 包装：卷带（T000E）

三 关键特性

• 体积小、容值大：在 0603 尺寸下实现 4.7µF，便于高密度布局。
• 温度适应性：X6S 介质在宽温范围内保持较好电容稳定性，适用于工业级温度要求较高的场合。
• 低等效串联电阻（ESR）与低等效串联电感（ESL）：适用于高频去耦与电源滤波。
• 环保合规：符合无铅/RoHS 要求（请以最新数据表为准）。

四 典型应用

• 数字 IC 的去耦与旁路（微处理器、电源管理芯片）
• 开关电源输入/输出滤波与储能元件
• 移动设备、可穿戴与 IoT 产品中对体积和性能有较高要求的电源回路
• 工业与消费类电子的滤波、稳压与噪声抑制电路

五 设计与使用建议

• 直流偏压效应：二类高介电常数陶瓷在施加 DC 偏压时电容值会显著下降，尤其是大容量薄介质器件，设计时应参考厂方 DC-bias 曲线并预留裕量。
• 温度与老化：虽 X6S 温度范围宽，但仍存在随温度和时间的电容漂移与老化现象，关键电路应进行验证。
• 焊接工艺：采用推荐的回流焊温度曲线与焊盘尺寸，避免过度机械应力，参考 TDK 的封装与焊接指导。
• 布局建议：去耦电容应尽可能靠近电源脚并采用短回路连接以降低串联电感。

六 封装与机械信息

封装为 0603（1608 公制，约 1.6mm × 0.8mm），具体厚度与焊盘建议请参照 TDK 官方尺寸图与 PCB 布局建议，以保证可靠的焊接与性能。

七 注意事项与资料参考

在最终设计中请以 TDK 官方数据表为准，特别留意 DC-bias、频率特性、温度特性曲线以及可靠性规范。高容值 MLCC 在不同应用工况下性能差异明显，建议进行实际样机测试验证电容余量与寿命要求。