TDK C3216X7R1E475KT000N 产品概述

一、产品简介

TDK C3216X7R1E475KT000N 为 1206（公制 3216）封装的多层陶瓷贴片电容（MLCC），标称电容 4.7 µF，额定电压 25 V，容差 ±10%（K），介质类型 X7R。该系列以体积小、容值较大和良好的温度特性著称，适用于表面贴装自动化生产，常用于电源去耦、旁路与储能等场合。

二、主要参数

• 容值：4.7 µF ±10%
• 额定电压：25 V DC
• 介质：X7R（温度范围 −55°C ~ +125°C，温度系数在规定范围内变化）
• 封装：1206（3216 公制）贴片
• 安装方式：表面贴装（SMD）
• 制造商：TDK，符合 RoHS 要求

三、电气特性与性能说明

X7R 介质在 −55°C 至 +125°C 温区内电容变化可在 ±15% 量级（相对于室温），属于温度稳定性中等、体积效率高的类型。与高稳定介质（如 C0G/NP0）相比，X7R 不适用于对电容精度和温漂要求极高的定时或高精度滤波电路。需要注意的是，MLCC 在直流偏置下电容会有明显下降：在额定直流电压下实际有效电容可能下降至标称的 40%~80%，具体数值依尺寸与材料体系而异，建议在目标工作条件下进行实测验证。

四、典型应用

• 微处理器、电源模块的去耦与旁路
• DC-DC 转换器输入/输出滤波与储能
• 手机、平板及消费电子的电源滤波
• 普通模拟电路的旁路与去耦

五、布局与焊接建议

为保证可靠性与电气性能，建议：

• 电容尽量靠近被去耦芯片的电源引脚放置，走线短而粗。
• PCB 焊盘按制造商推荐尺寸设计，保证良好焊点形态，避免应力集中。
• 回流焊工艺按无铅要求执行，峰值温度通常 ≤ 260°C，遵循器件的回流曲线。
• 装配后避免 PCB 弯曲或应力引起的裂纹，必要时使用应力缓解设计（如圆角、分割地铜等）。

六、选型与使用注意

• 若电路对温漂或精度要求高，优先选择 C0G/NP0 等稳定介质；X7R 更适合去耦与能量储存场景。
• 考虑直流偏置和温度影响后的有效电容，按实际工作条件验证并留有裕量。
• 对于关键或高可靠性场合，选择符合相应认证（如 AEC‑Q200）的器件或咨询厂商技术支持。
• TDK 提供卷带（tape & reel）等适配自动贴装的包装形式，便于批量生产。

总结：C3216X7R1E475KT000N 在 1206 封装中提供了兼顾容值与体积效率的解决方案，适用于大多数电源去耦与滤波场景。选用时应关注直流偏置与温度导致的有效电容变化，并按推荐的 PCB 设计与焊接工艺进行装配。若需更精确的电气参数（如等效串联电阻、纹波电流能力及偏置曲线），建议参考 TDK 官方数据手册或向供应商索取器件规格表与样品测试。