型号:

PZ1005E601-R45TF

品牌:Sunlord(顺络)
封装:0402
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
-
PZ1005E601-R45TF 产品实物图片
PZ1005E601-R45TF 一小时发货
描述:磁珠 600Ω@100MHz 340mΩ ±25% 450mA
库存数量
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(起订量: 1, 增量: 1
最小包:10000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.0168
10000+
0.0138
产品参数
属性参数值
阻抗@频率600Ω@100MHz
误差±25%
直流电阻(DCR)340mΩ
额定电流450mA
通道数1
工作温度-55℃~+125℃

PZ1005E601-R45TF 产品概述

一、产品简介

PZ1005E601-R45TF 是顺络(Sunlord)推出的一款微型磁珠(ferrite bead),封装尺寸为 0402(公制约 1005 英制尺寸)。该器件设计用于抑制高频干扰,特别是在高频数字信号与电源线路上的 EMI/噪声抑制。凭借小型封装与较高的 100MHz 阻抗特性,适合空间受限的现代移动终端、通信设备与高速数字电路中使用。

二、主要电气参数

  • 阻抗:600 Ω @ 100 MHz(标准值)
  • 阻抗公差:±25%
  • 直流电阻(DCR):340 mΩ
  • 额定直流电流:450 mA
  • 通道数:单通道(单线)
  • 工作温度范围:-55 ℃ ~ +125 ℃
  • 封装:0402(小体积表贴)

三、主要特性与优势

  • 高频抑制性能突出:在 100 MHz 附近具有 600 Ω 的阻抗,对高频噪声和射频干扰有良好衰减效果,适用于抑制开关电源、时钟及射频泄漏等干扰源。
  • 小型化封装:0402 封装占用 PCB 面积小,利于移动设备与高密度板级布局。
  • 单通道设计:可直接串联在信号线或电源线中,结构简单,便于快速实现滤波功能。
  • 宽温度工作范围:-55 ℃ 至 +125 ℃,适合大多数商用与工业级环境。
  • 可靠性:顺络作为知名磁性元件厂商,其产品在一致性与可靠性方面具有良好保证,利于批量生产中的稳定性。

四、典型应用场景

  • 移动终端、平板与笔记本的电源与信号线 EMI 抑制
  • 通信设备(路由器、基站前端)中的高频噪声抑制
  • 高速数字电路(USB、PCIe、DDR 邻近区域)用于去耦与止振
  • 车载电子与工业控制器的干扰抑制(在额定电流内)
  • 模拟与混合信号前端,降低射频干扰对敏感电路的影响

五、安装与使用建议

  • 布局位置:将磁珠尽量靠近噪声源或被保护器件(如 IC、电源输出端)放置,以提高抑制效果;若用于电源线,建议靠近负载侧放置以阻隔进入负载的噪声。
  • 串联方式:磁珠为单线串联器件,应串联在被滤除噪声的线路上;若为差分信号线,需对两条线分别使用匹配磁珠以保持平衡。
  • 焊接工艺:按照厂商推荐的回流焊工艺进行贴装,避免强烈的机械应力与过热。0402 体积小,焊盘设计应遵循 PCB 工程规范以保证焊点可靠性。
  • 电流与自热:额定电流 450 mA 为持续工作电流上限,超过该值可能导致器件温升、参数漂移或损坏。选型时应考虑实际最高工作电流并留有余量。
  • 阻抗公差:±25% 的阻抗公差会影响滤波器的实际性能,关键场合建议进行实板验证或选用更严格公差的器件。

六、选型注意事项

  • 电流需求:确认实际线路电流峰值与持续值,确保不超过 450 mA 的额定值,必要时选用更大电流规格或并联多颗器件(并联需谨慎考虑均流)。
  • 工作频率带宽:磁珠的抑制效果随频率变化,请参考厂商的频率响应曲线(Z–f)以确保在目标频段有足够阻抗。
  • DCR 与信号完整性:340 mΩ 的直流电阻在某些低压、敏感电源路径中会引入压降,需评估对供电电压的影响。
  • 温度与环境:高温或恶劣环境可能影响性能,长时间高温下应验证参数稳定性。
  • 封装与焊接要求:0402 适合高密度布局,但在手工焊接或维修时处理难度较大。

七、常见替代方案与比较

  • 与小型电感比较:磁珠在高频表现为复合阻抗(以阻性为主),对宽频带噪声抑制更有效;传统电感在低频处有更高的感抗但在高频可能表现为谐振或寄生效应。
  • 封装选择:若实际电流或 DCR 要求更低,可考虑较大封装(如 0603、0805)或专为电源线设计的磁珠产品。
  • 同类产品比对:选型时可比较不同厂家在 100MHz 附近的阻抗曲线及温度稳定性,选择与设计目标最匹配者。

八、结论

PZ1005E601-R45TF 是一款面向高频噪声抑制、适用于空间受限场合的 0402 磁珠。其 600 Ω @ 100 MHz 的阻抗特性在抑制高速数字与射频干扰方面具有良好效果,但在选型时需综合考虑 450 mA 的电流限制、340 mΩ 的 DCR 以及 ±25% 的阻抗公差。合理的布局、焊接与实板验证能够最大化该器件在 EMI 抑制中的效果。若需更精确的阻抗曲线、回流焊曲线或可靠性数据,建议参考顺络官方数据手册或联系技术支持获取完整规格文件。