TDK CGA3E3X5R1H474KT0Y0N 产品概述

一、产品简介

TDK CGA3E3X5R1H474KT0Y0N 为贴片多层陶瓷电容（MLCC），额定电容 470nF，公差 ±10%，额定电压 50V，介质类型 X5R，封装 0603（1608公制）。该系列针对空间受限的表贴电路板设计，兼顾容量密度与通用电路去耦需求。

二、主要电气参数

• 电容：470 nF
• 公差：±10%（室温标称值）
• 额定电压：50 V DC
• 介质：X5R（适用温度范围一般为 -55°C 至 +85°C）
• 封装：0603（适合高密度贴装）

三、性能特点

• 高密度：在 0603 小尺寸下提供 470nF 的容值，便于小型化设计。
• X5R 介质可在宽温区间工作，适合去耦与旁路用途，但电容随温度与偏置电压会发生可观变化（X5R 在 -55~+85°C 的电容变化可达 ±15% 级别）。
• 低等效串联电阻（ESR）与较低等效串联电感（ESL），适合高速去耦和滤波。
• 工艺兼容：支持常规无铅回流焊（请依照制造商回流曲线，通常符合 J-STD-020，峰值温度约 260°C）。

四、典型应用

• 功率和数字电路的去耦/旁路（CPU、PMIC、LDO 输入/输出旁路）
• 开关电源输出滤波和储能
• 高频滤波网络与去噪设计 注意：由于 X5R 具有介质损耗与随偏置电压变化的特性，不适合用于高精度定时或高 Q 的谐振回路；若需高稳定性请选 C0G/NP0 类陶瓷。

五、使用建议与注意事项

• DC 偏置影响：小尺寸高介电常数电容在接近额定电压时实际电容会明显下降，设计时建议根据实际工作电压做电容余量或降额使用（常见做法为按应用需求选择更大额定容值或并联更大封装）。
• 布局：将电容尽量靠近被去耦芯片的电源/地引脚，焊盘和引线要短且宽，以降低回路阻抗。
• 多级去耦：与小容量低 ESL 的电容并联（如 0.1µF/1µF）可改善不同频段的去耦效果。
• 焊接与可靠性：遵循 TDK 建议的回流曲线，避免温度骤变和过度机械应力；贴装后避免板弯曲以防裂瓷。

六、封装与可靠性

0603 封装适合高密度线路板，但相对较小的机械体积对直流偏置和纹波电流承受能力有限。TDK 产品通常具备良好的批次一致性与可靠性验证，适合消费类和工业级电子产品，但关键应用请参照厂商详细可靠性数据与认证信息。

七、结论

TDK CGA3E3X5R1H474KT0Y0N 是一款适用于空间受限场合的通用去耦/滤波 MLCC，具备 470nF/50V 的较高电容密度与 X5R 的温区适应能力。设计时应重视 X5R 的温漂与 DC 偏置效应，通过适当的降额、并联与合理布局确保在目标工况下满足系统性能需求。若需更严格的温度稳定性或精密电容，请考虑选用 C0G/NP0 或更大封装的器件。