C4532X7R1C226MT000N 产品概述

一、产品简介

TDK C4532X7R1C226MT000N 为片式多层陶瓷电容（MLCC），标称容量 22 μF，公差 ±20%，额定电压 16 V，介质等级 X7R，封装为 1812（公制 4532，约 4.5 mm × 3.2 mm）。该型号提供在中低频段良好的旁路与去耦性能，适合对容量要求较高且空间允许使用较大封装的电源旁路和滤波场合。

二、主要特性

• 容量：22 μF（标称）
• 公差：±20%（M）
• 额定电压：16 V
• 介质：X7R（-55 ℃ 至 +125 ℃，温度变化范围内电容变化典型在 ±15% 以内）
• 封装：1812 / 4532（约 4.5 × 3.2 mm）
• 低等效串联电阻（ESR），适用于一般去耦、旁路与稳压器输入/输出滤波
• 符合标准回流焊工艺，适合自动化贴装

三、适用场景

• PCB 电源母线和数字/模拟芯片的去耦与旁路（尤其是 5 V、3.3 V 等轨）
• DC–DC 转换器输入/输出侧大容量滤波与稳定
• 工业与消费类电子中对中等容量、较稳定温度特性的滤波场合
• 可作为系统中“体积型”旁路电容，与小型 MLCC 并联以兼顾低频与高频响应

四、关键电气与使用注意

• DC 偏压效应：采用高介电常数陶瓷（X7R）时，随施加直流偏压电容值会下降，实际工作电压下的有效电容应参考 TDK 的 DC bias 特性曲线来评估。
• 温度特性：X7R 在 -55 ℃ 至 +125 ℃ 范围内电容变化较小，适合一般温度环境应用。
• 高频特性：MLCC 高频响应良好，但 1812 较大封装相对小封装具有更高的 ESL，若需更低 ESL 可并联多个小封装电容。

五、布局与焊接建议

• 尽量靠近被去耦器件的电源引脚布置，且连接走短而粗的走线与过孔以降低寄生阻抗。
• 对大电流或需要低纹波的场合，可并联若干电容（不同尺寸/容量）以兼顾低频与高频特性。
• 遵循回流焊温度曲线，避免在贴装过程中产生机械应力（例如避免 PCB 弯曲或强力压迫电容外壳）。
• 过孔焊盘与丝印设计应留有合适焊膏量与焊接余量，保证可靠焊点。

六、可靠性与存储

• MLCC 本身无极性，长期稳定性好，但应注意焊接热冲击与机械应力会影响良率与寿命。
• 存放时避免潮湿、高温以及强酸强碱环境，推荐在常温干燥条件下密封保存；尽量在制造商推荐的有效期内使用。
• 在需满足严格可靠性（例如汽车级）应用时，应参照 TDK 提供的可靠性测试/认证数据并选择相应等级产品。

七、选型提示与替代方案

• 若应用对容量随偏压下降敏感，建议参考厂商 DC bias 曲线，或考虑选择更高额定电压或不同介质（如 C0G/NP0 虽单体容量受限）。
• 需要更低 ESR/ESL 或更高电流承受能力时，可采用并联多个较小封装 MLCC 或混合使用固态电解/钽电容与 MLCC 组合。
• 订购与替代可参考 TDK 官方料号查询，或选择其他主流厂商的同规格 1812、22 μF、16 V、X7R 产品作为替代，但务必验证 DC bias 与温度特性是否匹配。

以上为 C4532X7R1C226MT000N 的产品概述与工程使用要点，实际设计中应结合制造商数据手册与实测曲线进行最终验证与可靠性评估。